[發明專利]用于制造雙極結型晶體管的方法和雙極結型晶體管

有效

• 申請號: 201710742731.7
• 申請日: 2017-08-25
• 公開（公告）號: CN107785412B
• 公開（公告）日: 2021-03-30
• 發明（設計）人: D·A·楚瑪科夫
• 申請（專利權）人: 英飛凌技術德累斯頓有限責任公司
• 主分類號: H01L29/737
• 分類號: H01L29/737;H01L29/10;H01L21/331
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 鄭立柱;崔卿虎

1.一種用于制造雙極結型晶體管的方法，所述方法包括：

提供層堆疊，所述層堆疊包括：

-半導體襯底，其具有溝槽隔離；

-基極接觸層堆疊，其中所述基極接觸層堆疊包括形成發射極窗口的凹部；

-橫向間隔件，其布置在所述發射極窗口的側壁上，所述橫向間隔件隔離所述基極接觸層堆疊的基極接觸層；以及

-基極層，其布置在所述半導體襯底上的所述發射極窗口中，

其中所述基極層至少部分地突出到所述橫向間隔件下方；

在所述基極層上提供隔離層；

選擇性地去除所述隔離層直到所述橫向間隔件，同時部分保持所述隔離層的覆蓋所述基極層的部分，以保護所述基極層；以及

提供基極鏈路，所述基極鏈路用于將所述基極層連接到所述基極接觸層。

2.根據權利要求1所述的用于制造雙極結型晶體管的方法，其中提供所述隔離層包括在所述基極層和所述橫向間隔件上提供所述隔離層，其中所述隔離層的覆蓋所述基極層的所述部分比所述隔離層的覆蓋所述橫向間隔件的部分更厚。

3.根據權利要求2所述的用于制造雙極結型晶體管的方法，其中所述隔離層的覆蓋所述基極層的部分是所述隔離層的覆蓋所述橫向間隔件的部分的至少兩倍厚。

4.根據權利要求2所述的用于制造雙極結型晶體管的方法，其中所述隔離層的覆蓋所述基極層的部分是所述隔離層的覆蓋所述橫向間隔件的部分的二至四倍厚。

5.根據權利要求1所述的用于制造雙極結型晶體管的方法，其中提供所述隔離層包括在與所述半導體襯底的表面垂直的第一方向上以第一沉積速率沉積所述隔離層并且在與所述半導體襯底的表面平行的第二方向上以第二沉積速率沉積所述隔離層，其中所述第一沉積速率大于所述第二沉積速率。

6.根據權利要求1所述的用于制造雙極結型晶體管的方法，其中所述隔離層使用至少兩個不同的氧化物沉積方法來提供。

7.根據權利要求1所述的用于制造雙極結型晶體管的方法，其中所述隔離層使用爐氧化物沉積和高密度等離子體氧化物沉積的組合來提供。

8.根據權利要求1所述的用于制造雙極結型晶體管的方法，其中提供所述隔離層包括：

在所述基極層和所述橫向間隔件上提供第一隔離子層；以及

在所述第一隔離子層上提供第二隔離子層，使得所述第二隔離子層在與所述基極層鄰近的區域中比在與所述橫向間隔件鄰近的區域中更厚。

9.根據權利要求8所述的用于制造雙極結型晶體管的方法，其中所述第一隔離子層使用爐氧化物沉積來提供。

10.根據權利要求8所述的用于制造雙極結型晶體管的方法，其中所述第二隔離子層使用高密度等離子體氧化物沉積來提供。

11.根據權利要求1所述的用于制造雙極結型晶體管的方法，其中所述基極接觸層堆疊包括布置在所述半導體襯底上的第二隔離層、布置在所述第二隔離層上的所述基極接觸層、以及布置在所述基極接觸層上的第三隔離層。

12.根據權利要求1至11中任一項所述的用于制造雙極結型晶體管的方法，其中所述方法包括通過所述隔離層完全覆蓋所述基極層的頂部。

13.根據權利要求1至11中任一項所述的用于制造雙極結型晶體管的方法，其中提供所述基極鏈路包括選擇性地去除所述橫向間隔件，以橫向地暴露所述基極接觸層堆疊和所述基極層的突出到所述橫向間隔件下方的部分。

14.根據權利要求13所述的用于制造雙極結型晶體管的方法，其中提供所述基極鏈路包括在所述基極層的暴露部分上生長所述基極鏈路。