[發(fā)明專利]顯示基板及其制備方法和顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710742465.8 | 申請日: | 2017-08-25 |
| 公開(公告)號: | CN107482046B | 公開(公告)日: | 2021-01-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 蔡鵬;陳立強;宋平;王有為 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 汪源;陳源 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板,其特征在于,所述顯示基板劃分出顯示區(qū)域和圍繞所述顯示區(qū)域的非顯示區(qū)域,所述非顯示區(qū)域包括:耐彎曲區(qū)域和邊框區(qū)域;
所述顯示基板包括:襯底基板,所述襯底基板上對應所述顯示區(qū)域和所述邊框區(qū)域的位置設(shè)置有無機絕緣層,且所述耐彎曲區(qū)域不存在所述無機絕緣層,所述襯底基板上對應所述耐彎曲區(qū)域的位置設(shè)置有第一有機緩沖層,所述第一有機緩沖層的厚度與所述無機絕緣層的厚度相等,所述第一有機緩沖層背向所述襯底基板的一側(cè)設(shè)置有第二有機緩沖層,所述第二有機緩沖層與所述耐彎曲區(qū)域?qū)O(shè)置,所述第二有機緩沖層背向所述襯底基板的一側(cè)設(shè)置有信號走線層;
所述第二有機緩沖層的截面形狀為梯形,所述梯形對應下底的兩個底角的范圍為(0,60°]。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述第一有機緩沖層和所述第二有機緩沖層一體成型。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述第二有機緩沖層的背向所述襯底基板一側(cè)表面的截面形狀為弧形。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述信號走線層背向所述襯底基板的一側(cè)設(shè)置有保護層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述襯底基板背向所述無機絕緣層的一側(cè)設(shè)置有背保護膜。
6.一種顯示裝置,其特征在于,包括:如上述權(quán)利要求1-5中任一所述的顯示基板。
7.一種顯示基板的制備方法,其特征在于,所述顯示基板劃分出顯示區(qū)域和圍繞所述顯示區(qū)域的非顯示區(qū)域,所述非顯示區(qū)域內(nèi)設(shè)置耐彎曲區(qū)域和邊框區(qū)域,所述制備方法包括:
在襯底基板上對應所述顯示區(qū)域和所述邊框區(qū)域的位置形成無機絕緣層,其中所述耐彎曲區(qū)域不存在所述無機絕緣層;
在所述襯底基板上對應所述耐彎曲區(qū)域的位置形成第一有機緩沖層,所述第一有機緩沖層的厚度與所述無機絕緣層的厚度相等;
在所述第一有機緩沖層背向所述襯底基板的一側(cè)形成第二有機緩沖層,所述第二有機緩沖層至少位于所述耐彎曲區(qū)域內(nèi),所述第二有機緩沖層的截面形狀為梯形,所述梯形對應下底的兩個底角的范圍為(0,60°];
在所述第二有機緩沖層背向所述襯底基板的一側(cè)形成信號走線層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,所述第一有機緩沖層和所述第二有機緩沖層的材料相同,所述第一有機緩沖層和所述第二有機緩沖層通過一次構(gòu)圖工藝形成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





