[發明專利]一種砂輪精磨后硅片損傷層的檢測方法

有效

• 申請號: 201710742276.0
• 申請日: 2017-08-25
• 公開（公告）號: CN107543837B
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發明（設計）人: 惠珍;丁玉龍
• 申請（專利權）人: 鄭州磨料磨具磨削研究所有限公司
• 主分類號: G01N23/22
• 分類號: G01N23/22;G01N23/2202
• 代理公司: 鄭州中原專利事務所有限公司 41109
• 代理人: 霍彥偉

1.一種砂輪精磨后硅片損傷層的檢測方法，其特征在于：包括如下步驟：

（1）選取與待檢測硅片尺寸相同的硅片原片，用減薄機進行單面拋光，減薄后的硅片原片的平整度小于1μm，將待檢測硅片命名為磨削片，硅片原片命名為原片；

（2）預先在磨削片和原片上畫好需要切割的紋路，用劃片機沿垂直磨削紋路的方向進行切割，得到正方形小硅片，其邊長為4-20mm，切割后的小硅片進行清洗干燥后備用；

（3）將步驟（2）得到的磨削片小硅片的橫截面先在第一樹脂多孔砂輪齒端面上打磨2-5min，再在第二樹脂多孔砂輪齒端面上打磨3-6min，打磨后的磨削片小硅片清洗干燥后備用；第一樹脂多孔砂輪齒端面的砂輪粒度大于第二樹脂多孔砂輪齒端面的砂輪粒度；

（4）將步驟（3）得到的打磨后的磨削片小硅片與步驟（2）得到的原片小硅片進行粘接，粘接時，將磨削片小硅片的磨削面粘貼到原片小硅片的拋光面上，粘接好后的組合小硅片進行固化后備用；

（5）將步驟（4）得到的組合小硅片的橫截面在第三樹脂多孔砂輪齒端面上打磨1-3min，再在第四樹脂多孔砂輪齒端面上打磨3-6min，打磨后的磨削片小硅片清洗干燥后備用；第三樹脂多孔砂輪齒端面的砂輪粒度大于第四樹脂多孔砂輪齒端面的砂輪粒度；

（6）將步驟（5）得到的組合小硅片固定在第一夾具上進行研磨和拋光10-20min后備用；

（7）將步驟（6）得到的組合小硅片固定在帶有一定角度θ的第二夾具上進行研磨拋光，研磨拋光20-30min后，磨削片小硅片和原片小硅片的橫截面上出現一個傾角為θ的斜面，此時，用光學顯微鏡觀察橫截面的表面質量情況；所述傾角θ的取值范圍為：0°＜θ＜10°；

（8）用腐蝕液擦拭組合小硅片的橫截面，邊腐蝕邊用光學顯微鏡觀察橫截面的表面情況，當橫截面上出現腐蝕的坑時，繼續腐蝕5-8min；所述腐蝕液由氫氟酸和鉻酸溶液混合而成，混合液中氫氟酸的質量濃度不低于10%；

（9）在步驟（8）得到的磨削片小硅片的橫截面上噴金后用掃面電子顯微鏡進行損傷層測量，通過在不同樣品位置取最大損傷層深度取平均值得到L，并根據公式H=Lsinθ計算損傷層H的損傷深度。

2.根據權利要求1所述的砂輪精磨后硅片損傷層的檢測方法，其特征在于：步驟（4）中用于粘接磨削片小硅片和原片小硅片的粘膠為離子減薄樹脂膠。