[發明專利]一種具備正面凸點的扇出型封裝結構的芯片及其制作方法在審
| 申請號: | 201710742257.8 | 申請日: | 2017-08-25 |
| 公開(公告)號: | CN107369663A | 公開(公告)日: | 2017-11-21 |
| 發明(設計)人: | 崔成強;楊斌;賴韜;張昱 | 申請(專利權)人: | 廣東工業大學 |
| 主分類號: | H01L23/367 | 分類號: | H01L23/367;H01L23/373;H01L23/488;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司11227 | 代理人: | 羅滿 |
| 地址: | 510062 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 具備 正面 扇出型 封裝 結構 芯片 及其 制作方法 | ||
1.一種具備正面凸點的扇出型封裝結構的芯片,其特征在于,包括散熱基板,所述散熱基板的正面開設有至少一個芯片槽,所述芯片槽中粘接有芯片本體,所述芯片本體的正面和側面、所述散熱基板的正面均覆蓋有介電層,所述芯片本體的正面連接有銅凸點,所述銅凸點利用經過所述介電層的正面的金屬線路連接至位于所述散熱基板正面的金屬球,所述金屬線路的正面除了所述金屬球的位置之外均設置有保護層。
2.根據權利要求1所述的具備正面凸點的扇出型封裝結構的芯片,其特征在于,所述散熱基板為銅基板或陶瓷基板。
3.根據權利要求1所述的具備正面凸點的扇出型封裝結構的芯片,其特征在于,所述芯片本體利用Die-Attach膠與所述芯片槽粘接。
4.根據權利要求1所述的具備正面凸點的扇出型封裝結構的芯片,其特征在于,所述散熱基板的厚度范圍為0.5毫米至5.0毫米。
5.根據權利要求1所述的具備正面凸點的扇出型封裝結構的芯片,其特征在于,所述介電層為ABF層、BCB層或PI層。
6.根據權利要求1-5任一項所述的具備正面凸點的扇出型封裝結構的芯片,其特征在于,所述金屬線路為銅線或銀線。
7.一種具備正面凸點的扇出型封裝結構的芯片的制作方法,其特征在于,包括:
在散熱基板的正面開設至少一個芯片槽;
所述芯片槽中粘接芯片本體,在所述芯片本體的正面植入銅凸點;
所述芯片本體的正面和側面、所述散熱基板的正面均覆蓋介電層;
在所述介電層表面制作金屬種子層,并電鍍金屬線路;
在所述金屬線路需要保護的部分覆蓋光阻膜,刻蝕掉不需要保護的區域的金屬線路和金屬種子層,并去除所述光阻膜;
在所述金屬線路的正面設置保護層,在所述散熱基板的正面預留出植球區域,并在所述植球區域植入金屬球,所述銅凸點利用經過所述介電層的正面的金屬線路連接至位于所述散熱基板正面的金屬球;
去除多余的介電層,切割出單個芯片。
8.根據權利要求7所述的具備正面凸點的扇出型封裝結構的芯片的制作方法,其特征在于,所述在散熱基板的正面開設至少一個芯片槽為:
在銅基板或陶瓷基板的正面開設至少一個芯片槽。
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