[發(fā)明專利]基板支撐組件及導(dǎo)熱基底有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710741989.5 | 申請(qǐng)日: | 2014-05-06 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107527842B | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-11-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | V·D·帕科;K·馬赫拉切夫;J·德拉羅薩;H·諾巴卡施;B·L·梅斯;小道格拉斯·A·布齊伯格 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 應(yīng)用材料公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 侯穎媖 |
| 地址: | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 支撐 組件 導(dǎo)熱 基底 | ||
本發(fā)明涉及基板支撐組件及導(dǎo)熱基底。基板支撐組件包括陶瓷定位盤(pán)與導(dǎo)熱基底,該導(dǎo)熱基底具有與陶瓷定位盤(pán)的下表面接合的上表面。該導(dǎo)熱基底包括多個(gè)熱區(qū)與多個(gè)熱隔離器,該多個(gè)熱隔離器從導(dǎo)熱基底的上表面朝向?qū)峄椎南卤砻嫜由欤渲性摱鄠€(gè)熱隔離器中的每一個(gè)提供導(dǎo)熱基底的上表面處的多個(gè)熱區(qū)中的兩個(gè)之間的近似熱隔離。
本申請(qǐng)是申請(qǐng)日為2014年5月6日、申請(qǐng)?zhí)枮?01480021725.7、名稱為“具有含有最小串?dāng)_的熱隔絕區(qū)的靜電夾盤(pán)”的中國(guó)專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的實(shí)施例一般涉及具有含有最小串?dāng)_的多個(gè)熱隔離區(qū)的靜電夾盤(pán)。
背景技術(shù)
靜電夾盤(pán)被用于在處理期間支撐基板。靜電夾盤(pán)的一個(gè)功能是調(diào)節(jié)所支撐的基板的溫度。為便于這種溫度調(diào)節(jié),靜電夾盤(pán)可具有多個(gè)不同區(qū),且每個(gè)區(qū)可被調(diào)諧到不同溫度。然而,傳統(tǒng)的靜電夾盤(pán)可展示出各個(gè)區(qū)之間的顯著串?dāng)_。在示例中,假設(shè)在靜電夾盤(pán)中存在兩個(gè)相鄰區(qū),其中第一區(qū)被加熱到15℃而第二區(qū)被加熱到25℃。由于鄰近于第二區(qū),這兩個(gè)區(qū)之間的串?dāng)_可導(dǎo)致第一區(qū)的相對(duì)較大部分實(shí)際上具有大于15℃的溫度。由傳統(tǒng)的靜電夾盤(pán)所展示出的串?dāng)_程度會(huì)對(duì)某些應(yīng)用太高。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種基板支撐組件,包括:陶瓷定位盤(pán);以及導(dǎo)熱基底,所述導(dǎo)熱基底具有與所述陶瓷定位盤(pán)的下表面接合的上表面,其中所述導(dǎo)熱基底包括:多個(gè)熱區(qū);以及多個(gè)熱隔離器,所述多個(gè)熱隔離器從所述導(dǎo)熱基底的所述上表面朝向所述導(dǎo)熱基底的下表面延伸,其中所述多個(gè)熱隔離器中的每一個(gè)提供在所述導(dǎo)熱基底的所述上表面處的所述多個(gè)熱區(qū)中的兩個(gè)熱區(qū)之間的一定程度的熱隔離,其中所述多個(gè)熱隔離器中的第一熱隔離器具有與所述多個(gè)熱隔離器中的第二熱隔離器不同的深度。
本發(fā)明還提供一種用于靜電夾盤(pán)的導(dǎo)熱基底,所述導(dǎo)熱基底包括:多個(gè)近似同心的熱區(qū);以及多個(gè)熱隔離器,所述多個(gè)熱隔離器從所述導(dǎo)熱基底的上表面朝向所述導(dǎo)熱基底的下表面延伸,其中所述多個(gè)熱隔離器中的每一個(gè)提供在所述導(dǎo)熱基底的所述上表面處的所述多個(gè)熱區(qū)中的兩個(gè)熱區(qū)之間的一定程度的熱隔離,并且其中所述多個(gè)熱隔離器中的第一熱隔離器的至少一部分具有與所述多個(gè)熱隔離器中的第二熱隔離器的至少一部分不同的深度。
附圖說(shuō)明
在附圖的以下各圖中通過(guò)示例的方式,而非通過(guò)限制的方式來(lái)說(shuō)明本發(fā)明,在附圖中相同的參考標(biāo)號(hào)代表相同元件。應(yīng)當(dāng)注意的是,在本公開(kāi)中對(duì)“一(an)”或“一個(gè)(one)”實(shí)施例的不同參考不一定是對(duì)同一實(shí)施例的參考,且這樣的參考表示至少一個(gè)。
圖1繪示了處理腔室的一個(gè)實(shí)施例的截面圖。
圖2繪示了靜電夾盤(pán)的一個(gè)實(shí)施例的橫截面?zhèn)纫晥D。
圖3是示出了一些示例靜電夾盤(pán)的熱區(qū)之間的串?dāng)_的曲線圖。
圖4是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的靜電夾盤(pán)的俯視圖。
圖5是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的靜電夾盤(pán)的仰視圖。
圖6是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的靜電夾盤(pán)的橫截面?zhèn)纫晥D。
圖7是靜電夾盤(pán)組件堆棧的橫截面?zhèn)纫晥D。
圖8示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于制造靜電夾盤(pán)的工藝。
具體實(shí)施方式
本文中所描述的是具有導(dǎo)熱基底(亦被稱為冷卻板)的靜電夾盤(pán),該導(dǎo)熱基底具有彼此近似熱隔離的多個(gè)熱區(qū)。不同的熱區(qū)被熱隔離器(亦被稱為斷熱器)分開(kāi),這些熱隔離器從導(dǎo)熱基底的上表面朝向?qū)峄椎南卤砻嫜由臁?捎霉柩鯓?shù)脂、真空、或其他隔熱材料來(lái)填充這些熱隔離器。替代地,這些熱隔離器可與大氣相通。相比于傳統(tǒng)的靜電夾盤(pán),這些熱隔離器將靜電夾盤(pán)的熱區(qū)之間的串?dāng)_減少50%那么多。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





