[發明專利]一種光纖嵌入式高能中子轉換屏的制備方法有效
| 申請號: | 201710741201.0 | 申請日: | 2017-08-25 |
| 公開(公告)號: | CN107479086B | 公開(公告)日: | 2020-03-13 |
| 發明(設計)人: | 吳洋;唐彬;彭述明;錢達志;李航;曹超;霍合勇;孫勇;王勝;尹偉;劉斌;朱世雷;張旸;李江波;姚健;陳玉山;唐孝容 | 申請(專利權)人: | 中國工程物理研究院核物理與化學研究所 |
| 主分類號: | G01T3/00 | 分類號: | G01T3/00;G02B6/02 |
| 代理公司: | 中國工程物理研究院專利中心 51210 | 代理人: | 翟長明;韓志英 |
| 地址: | 621999 四*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 光纖 嵌入式 高能 中子 轉換 制備 方法 | ||
1.一種光纖嵌入式高能中子轉換屏,其特征在于:所述的轉換屏包括基材和光纖;
所述的轉換屏的基材原料按重量百分比組成如下:
硫化鋅 40%~50%;
環氧樹脂 30%~40%;
固化劑 10%~14%;
稀釋劑 8%~10%;
消泡劑 0.1%~0.5%;
偶聯劑 0.8%~1%;
所述的固化劑為聚醚胺;
所述的稀釋劑為1,4-丁二醇縮水甘油醚;
所述的消泡劑為聚硅氧烷;
所述的偶聯劑為γ一氨丙基三甲氧基硅烷;
所述的光纖為豎直方向排列的陣列式嵌入光纖,光纖的直徑為0.5mm,吸收波長峰值432nm,輸出波長峰值532nm;
所述的轉換屏的基材原料的質量不均勻度≤5%;轉換屏的表面平整度≤1%;
所述的陣列式嵌入光纖中的光纖之間的圓心距為1mm。
2.一種根據權利要求1所述的光纖嵌入式高能中子轉換屏的制備方法,包括以下步驟:
a. 使用偶聯劑對硫化鋅進行表面改性
將硫化鋅和偶聯劑加入高速勻漿機中進行混合反應,混合反應的反應溫度從室溫逐漸升至80℃后,停止混合反應,混合反應后制成活性硫化鋅;
b.轉換屏的基材的制備
將環氧樹脂、固化劑、稀釋劑和消泡劑加入高速勻漿機,與活性硫化鋅進行混合反應,直至混合均勻制成基材;
c.預置光纖
利用模具預置嵌入轉換屏的光纖;
d. 澆注成型
將基材緩慢倒入模具中靜置直至固化成型;
e.脫模
脫模,取出轉換屏粗坯;
f.打磨
打磨轉換屏粗坯表面,制成轉換屏。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國工程物理研究院核物理與化學研究所,未經中國工程物理研究院核物理與化學研究所許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710741201.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





