[發(fā)明專利]SiC晶片的生成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710740384.4
• 申請(qǐng)日: 2017-08-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107877011B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-04-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 平田和也
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社迪思科
• 主分類號(hào): H01L21/304
• 分類號(hào): H01L21/304;B23K26/402
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 龐東成;褚瑤楊

提供實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)率提高的SiC晶片生成方法。SiC晶片的生成方法從單晶SiC晶錠生成SiC晶片，包括：剝離面形成工序，在形成偏離角的方向進(jìn)行晶錠的轉(zhuǎn)位進(jìn)給而進(jìn)行2次以上的改質(zhì)層形成加工，形成剝離面，該改質(zhì)層形成加工中，將對(duì)SiC具有透過(guò)性的波長(zhǎng)的脈沖激光光線的聚光點(diǎn)定位在距離晶錠的上表面相當(dāng)于要生成的晶片的厚度的深度，并在與形成偏離角的方向正交的方向進(jìn)行晶錠的加工進(jìn)給，從而在晶錠內(nèi)部形成改質(zhì)層和從該改質(zhì)層沿c面?zhèn)鞑サ牧押?；晶片生成工序，以剝離面為界面將晶錠的一部分剝離，生成SiC晶片。SiC晶片的生成方法還包括：倒角加工工序，對(duì)剝離得到的SiC晶片的外周實(shí)施倒角加工而去除毛刺；磨削工序，對(duì)SiC晶片的剝離面進(jìn)行磨削，精加工成平滑面。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種SiC晶片的生成方法，其從單晶SiC晶錠生成SiC晶片。

背景技術(shù)

IC、LSI、LED等器件是將功能層層疊在以Si(硅)、Al₂O₃(藍(lán)寶石)等作為材料的晶片的正面并利用分割預(yù)定線劃分而形成的。另外，功率器件、LED等是將功能層層疊在以單晶SiC(碳化硅)作為材料的晶片的正面并利用分割預(yù)定線劃分而形成的。形成有器件的晶片利用切削裝置或激光加工裝置對(duì)分割預(yù)定線實(shí)施加工而分割成各個(gè)器件芯片。分割得到的各器件芯片被用于移動(dòng)電話、個(gè)人計(jì)算機(jī)等電氣設(shè)備中。

形成器件的晶片通常是通過(guò)利用劃片鋸將圓柱形狀的晶錠薄薄地切斷而生成的。切斷得到的晶片的正面和背面通過(guò)研磨而精加工成鏡面(參見(jiàn)專利文獻(xiàn)1)。但是，在利用劃片鋸將晶錠切斷并對(duì)切斷得到的晶片的正面和背面進(jìn)行研磨時(shí)，晶錠的大部分(70％～80％)會(huì)被浪費(fèi)，存在不經(jīng)濟(jì)的問(wèn)題。特別是單晶SiC晶錠，其莫氏硬度高，難以利用劃片鋸進(jìn)行切斷，需要花費(fèi)相當(dāng)長(zhǎng)的時(shí)間，因而生產(chǎn)率差，并且晶錠的單價(jià)高，在高效地生成晶片方面存在問(wèn)題。

因此，有人提出了下述技術(shù)：將對(duì)于SiC具有透過(guò)性的波長(zhǎng)的激光光線的聚光點(diǎn)定位在SiC晶錠的內(nèi)部來(lái)對(duì)SiC晶錠照射激光光線，從而在切斷預(yù)定面上形成改質(zhì)層，將形成有改質(zhì)層的切斷預(yù)定面切斷，而從SiC晶錠生成SiC晶片(參見(jiàn)專利文獻(xiàn)2)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2000-94221號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：日本特開(kāi)2013-49161號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明所要解決的課題

但是，在專利文獻(xiàn)2所公開(kāi)的現(xiàn)有技術(shù)中，為了從SiC晶錠生成SiC晶片，必須每隔10μm左右的間隔致密地形成改質(zhì)層，存在生產(chǎn)率差的問(wèn)題。

由此，本發(fā)明的目的在于提供實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)率的提高的SiC晶片生成方法。

用于解決課題的手段

根據(jù)本發(fā)明，提供一種SiC晶片的生成方法，其從單晶SiC晶錠生成SiC晶片，該單晶SiC晶錠具有第一面、該第一面相反側(cè)的第二面、從該第一面到該第二面且相對(duì)于該第一面的垂線傾斜的c軸、以及與該c軸正交的c面，在該c面與該第一面之間形成偏離角，該SiC晶片的生成方法包括下述工序：

剝離面形成工序，使該單晶SiC晶錠與對(duì)于SiC具有透過(guò)性的波長(zhǎng)的脈沖激光光線的聚光點(diǎn)相對(duì)地在形成該偏離角的第二方向進(jìn)行轉(zhuǎn)位進(jìn)給而進(jìn)行2次以上的改質(zhì)層形成加工，從而形成剝離面，該改質(zhì)層形成加工中，將該聚光點(diǎn)定位在距離該第一面相當(dāng)于要生成的晶片的厚度的深度，并且使該單晶SiC晶錠與該聚光點(diǎn)相對(duì)地在與形成該偏離角的第二方向正交的第一方向進(jìn)行加工進(jìn)給的同時(shí)，對(duì)該單晶SiC晶錠照射脈沖激光光線，從而SiC分離成Si和C，接著照射的脈沖激光光線被先前形成的C吸收，SiC連鎖地分離成Si和C而形成直線狀的改質(zhì)層，并且形成從該改質(zhì)層沿著該c面?zhèn)鞑サ牧押郏?/p>

晶片生成工序，以該剝離面作為界面將該單晶SiC晶錠的一部分剝離而生成SiC晶片；