[發明專利]發光二極管外延片及其制造方法有效
| 申請號： | 201710739994.2 | 申請日： | 2017-08-23 |
| 公開（公告）號： | CN109427932B | 公開（公告）日： | 2021-07-16 |
| 發明（設計）人： | 謝春林;項博媛 | 申請（專利權）人： | 比亞迪半導體股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 深圳眾鼎專利商標代理事務所(普通合伙) 44325 | 代理人： | 譚果林 |
| 地址： | 518119 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光二極管 外延 及其 制造 方法 | ||
1.一種發光二極管外延片的制造方法，所述方法包括：提供一藍寶石襯底(1)，并在所述藍寶石襯底(1)上依次生長GaN本征層(2)、GaN n型層(3)、發光層(4)和GaNp型層(5)，其特征在于：
在所述藍寶石襯底(1)和所述GaN n型層(3)之間生長應力調整層(6)，其中，所述應力調整層(6)的晶格常數介于藍寶石和GaN之間，所述應力調整層(6)為GaN/SiC超晶格，所述應力調整層(6)的周期數為30～50，周期厚度為2～5nm，在所述應力調整層(6)的生長過程中，溫度范圍為1200～1300℃，壓強為200～600mbar，
在所述GaN n型層(3)和所述發光層(4)之間生長AlGaN/GaN超晶格反射層(7)，或者，在所述GaN本征層(2)和所述GaN n型層(3)之間生長AlGaN/GaN超晶格反射層(7)，所述AlGaN/GaN超晶格反射層(7)的周期厚度為2～5nm，AlGaN的Al含量為10～30％。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述藍寶石襯底(1)和所述GaN n型層(3)之間生長應力調整層(6)的步驟包括：
在所述藍寶石襯底(1)和所述GaN本征層(2)之間生長所述應力調整層(6)。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述藍寶石襯底(1)和所述GaN n型層(3)之間生長應力調整層(6)的步驟包括：
在所述GaN本征層(2)和所述GaN n型層(3)之間生長所述應力調整層(6)。
4.一種發光二極管外延片，所述外延片包括藍寶石襯底(1)以及依次生長在所述藍寶石襯底(1)上的GaN本征層(2)、GaN n型層(3)、發光層(4)、GaNp型層(5)，其特征在于，所述外延片還包括生長在所述藍寶石襯底(1)和所述GaN n型層(3)之間的應力調整層(6)，其中，所述應力調整層(6)的晶格常數介于藍寶石和GaN之間，所述應力調整層(6)為GaN/SiC超晶格，所述應力調整層(6)的周期數為30～50，周期厚度為2～5nm，在所述應力調整層(6)的生長過程中，溫度范圍為1200～1300℃，壓強為200～600mbar，
所述外延片還包括：
AlGaN/GaN超晶格反射層(7)，生長在所述GaN n型層(3)和所述發光層(4)之間，或者，生長在所述GaN本征層(2)和所述GaN n型層(3)之間，所述AlGaN/GaN超晶格反射層(7)的周期厚度為2～5nm，AlGaN的Al含量為10～30％。
5.根據權利要求4所述的外延片，其特征在于，所述應力調整層(6)生長在所述藍寶石襯底(1)和所述GaN本征層(2)之間。
6.根據權利要求4所述的外延片，其特征在于，所述應力調整層(6)生長在所述GaN本征層(2)和所述GaN n型層(3)之間。
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