[發明專利]一種高性能SiC@NiCo2O4/Ni(OH)2復合超級電容器正極材料

在審

• 申請號: 201710738673.0
• 申請日: 2017-08-25
• 公開（公告）號: CN107833757A
• 公開（公告）日: 2018-03-23
• 發明（設計）人: 李鎮江;趙健;孟阿蘭;張猛
• 申請（專利權）人: 青島科技大學
• 主分類號: H01G11/30
• 分類號: H01G11/30;H01G11/24;B82Y30/00
• 代理公司: 青島中天匯智知識產權代理有限公司37241
• 代理人: 郝團代

1.一種高性能SiC@NiCo₂O₄/(NiOH)₂復合超級電容器正極材料，其特征在于：所述復合電極材料的內核為SiC納米線，外殼為整齊排列的NiCo₂O₄/(NiOH)₂混合納米片陣列，具體制備過程包括：首次，以SiC納米線為骨架材料，采用循環伏安法在其表面沉積NiCo₂O₄前驅體，然后經過煅燒處理得到SiC@NiCo₂O₄，其次，采用恒電位法，再在SiC@NiCo₂O₄的表面上沉積(NiOH)₂，得到SiC@NiCo₂O₄/(NiOH)₂復合超級電容器正極材料。

2.根據權利要求1所述的一種高性能SiC@NiCo₂O₄/(NiOH)₂復合超級電容器正極材料，其特征在于：內核SiC納米線的直徑和長度分別約為80-100nm和幾十微米，它們互相纏結，構成了一種特殊的網絡結構；外殼NiCo₂O₄納米片的尺寸較大(約為200-300nm)，分散均勻，(NiOH)₂納米片的尺寸較小(約為30-50nm)，垂直交叉生長在NiCo₂O₄納米片表面，且片與片之間形成了充足的自由空隙。

3.根據權利要求1所述的一種高性能SiC@NiCo₂O₄/(NiOH)₂復合超級電容器正極材料，其特征在于：所述復合電極材料呈現出優異的電化學性能，當電流密度為4A/g時，質量比電容值為2580F/g，當電流密度增大至20A/g時，質量比電容值為2141F/g，倍率特性～83％；并且經過3000圈循環后，其比電容仍能保持原比電容的91.5％。