[發明專利]低電壓互補式金屬氧化物半導體電路和相關存儲器

有效

• 申請號: 201710737307.3
• 申請日: 2017-08-24
• 公開（公告）號: CN107785046B
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發明（設計）人: 伊東清夫
• 申請（專利權）人: 鈺創科技股份有限公司
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

1.一種存儲器，包含：

多個存儲單元，其中所述多個存儲單元中的每一存儲單元包含互相交叉耦合的兩反相器，所述兩反相器的第一反相器電連接一位線和所述兩反相器的第二反相器，所述第一反相器由一第一電源軌和一第二電源軌供電，以及所述第二反相器由一第三電源軌和一第四電源軌供電，其中一第一電壓差施加跨在所述第一電源軌和所述第二電源軌之間，一第二電壓差施加跨在所述第三電源軌和所述第四電源軌之間，以及所述第一電壓差小于所述第二電壓差；及

其特征在于還包含：

多個外圍電路，其中所述多個外圍電路使用對應多個升壓電壓和柵源極差分驅動的技術的至少一個，所述多個外圍電路中的驅動器操作在至少二電壓，所述驅動器的負載電容大于所述驅動器的輸入電容，以及所述負載電容上的電壓擺幅小于所述驅動器的輸入電壓擺幅。

2.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于：所述驅動器包含用于接收第一電壓的接收器，操作在第二電壓的升壓器，以及驅動所述負載電容在第三電壓的緩沖器，其中所述第一電壓和所述第三電壓低于所述第二電壓。

3.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于：所述多個外圍電路中的每一地址緩沖器包含多個地址輸入非或門和用于激活所述每一地址緩沖器的控制電路。

4.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于：所述第一電源軌被應用于所述多個外圍電路，且所述第一電源軌上的電壓值是0.5V或更低。

5.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于：所述多個升壓電壓是由芯片上的多個電壓轉換器所產生。

6.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于：施加在所述第二電源軌上的第三電壓和施加在所述第一電源軌上的第一電壓之間的差值會隨著所述第一電壓的增加而減少。

7.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于：所述第一反相器包含第一晶體管和第二晶體管，其中所述第一晶體管通過所述第一電源軌和所述第二電源軌之間的主要導電節點串聯耦接所述第二晶體管；所述第二反相器包含第三晶體管和第四晶體管，其中所述第三晶體管通過所述第三電源軌和所述第四電源軌之間的主要導電節點串聯耦接所述第四晶體管；以及所述第三晶體管的閾值電壓是大于所述第一晶體管的閾值電壓。

8.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于：所述多個升壓電壓是同時施加在所述多個外圍電路和所述多個存儲單元。

9.一種存儲器，包含：

多個存儲單元，其中所述多個存儲單元中的每一存儲單元包含互相交叉耦合的兩反相器，所述兩反相器的第一反相器電連接一位線和所述兩反相器的第二反相器，所述第一反相器由一第一電源軌和一第二電源軌供電，以及所述第二反相器由一第三電源軌和一第四電源軌供電，其中一第一電壓差施加跨在所述第一電源軌和所述第二電源軌之間，一第二電壓差施加跨在所述第三電源軌和所述第四電源軌之間，以及所述第一電壓差小于所述第二電壓差；及

其特征在于還包含：

多個外圍電路，其中所述多個外圍電路使用對應多個升壓電壓和柵源極差分驅動的技術的至少一個，施加在所述多個存儲單元中的升壓電壓和第一電壓之間的差值隨著施加在所述多個存儲單元中的第一電壓的增加而小于施加在所述多個外圍電路中的升壓電壓和第一電壓之間的差值。