[發(fā)明專利]一種制備硅灰石微晶玻璃的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710736179.0 | 申請日: | 2017-08-24 |
| 公開(公告)號: | CN107382075B | 公開(公告)日: | 2020-10-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張佩;朱建鋒;林營;楊海波;方媛;武清;武文玲 | 申請(專利權(quán))人: | 陜西科技大學(xué) |
| 主分類號: | C03C10/00 | 分類號: | C03C10/00 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200 | 代理人: | 安彥彥 |
| 地址: | 710021 *** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 制備 硅灰石微晶 玻璃 方法 | ||
1.一種制備硅灰石微晶玻璃的方法,其特征在于,將CaCO3、SiO2、Na2O、B2O3、ZnO、Al2O3、MgO、K2O、P2O5混合均勻,得到混合料,用無水乙醇將混合料調(diào)制成漿料,漿料經(jīng)球磨混合均勻后烘干;然后在高溫下熔制成澄清玻璃液,并將玻璃液澆入冷水中淬冷,得到玻璃碎塊;烘干后破碎球磨,得到粒度D50=12~33μ m的玻璃粉體;將玻璃粉體壓制成型后置于直流高壓電場下燒結(jié),得到硅灰石微晶玻璃;其中,熔制的溫度為1420~1520℃,熔制的時間為3~4h;燒結(jié)過程分為兩個階段,第一階段在840~880℃下保溫1.5~3h;第二階段置于直流高壓電場下,在840~880℃下保溫2.5~4h;高壓電場輔助燒結(jié)裝置包括上白金電極(4)、下白金電極(7)、馬弗爐(1)、絕緣墊片(2)以及直流高壓電源(5),測試時,將硅灰石待燒結(jié)樣品(6)放置在上白金電極(4)與下白金電極(7)之間,在上白金電極(4)和硅灰石待燒結(jié)樣品(6)之間,下白金電極(7)與馬弗爐(1)的爐膛之間均墊上絕緣墊片(2),上白金電極(4)通過白金導(dǎo)線(3)與高壓直流電源(5)正極相連,下白金電極(7)通過到白金導(dǎo)線(3)與高壓直流電源(5)負(fù)極相連,上白金電極(4)和下白金電極(7)之間形成電場;
其中,混合料按質(zhì)量百分比計,包括CaCO3 26~38%,SiO2 49~54%,Na2O、B2O3、ZnO、Al2O3、MgO、K2O以及P2O5的總和為13~25%;
無水乙醇與混合料的質(zhì)量比為2.55~2.8:1;
直流高壓電場強度為1600~2400V/cm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備硅灰石微晶玻璃的方法,其特征在于,由室溫以10℃/min的速率升溫至840~880℃,由840~880℃以20℃/min的速率升溫至985~1080℃。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于陜西科技大學(xué),未經(jīng)陜西科技大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710736179.0/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C03C 玻璃、釉或搪瓷釉的化學(xué)成分;玻璃的表面處理;由玻璃、礦物或礦渣制成的纖維或細(xì)絲的表面處理;玻璃與玻璃或與其他材料的接合
C03C10-00 微晶玻璃陶瓷,即結(jié)晶相分散于玻璃相中,并至少為總組成的50
C03C10-02 .非二氧化硅及非硅酸鹽結(jié)晶相,例如尖晶石、鈦酸鋇
C03C10-04 .硅酸鹽或多硅酸鹽結(jié)晶相,例如莫來石、透輝石、硝石、斜長石
C03C10-14 .二氧化硅結(jié)晶相,例如填塞石英、方石英
C03C10-16 .含鹵素的結(jié)晶相
C03C10-06 ..二價金屬氧化物的鋁硅酸鹽結(jié)晶相,例如鈣長石、礦渣陶瓷





