[發明專利]頂柵自對準薄膜晶體管層疊結構及其制作方法

在審

• 申請號: 201710735365.2
• 申請日: 2017-08-24
• 公開（公告）號: CN107507867A
• 公開（公告）日: 2017-12-22
• 發明（設計）人: 王國英;宋振
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/34
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司11438
• 代理人: 闞梓瑄,王衛忠

1.一種頂柵自對準薄膜晶體管層疊結構，其特征在于，所述頂柵自對準薄膜晶體管層疊結構包括：

襯底；

遮光材料層，設于所述襯底之上且形成有凹槽結構；

有源層，設于所述凹槽結構的槽底；以及

依次設于所述有源層之上的柵極介質層、柵極層、鈍化層和源漏極層。

2.根據權利要求1所述的頂柵自對準薄膜晶體管層疊結構，其特征在于，所述柵極介質層和柵極層位于所述凹槽結構的槽腔中；和/或，所述鈍化層和源漏極層部分位于所述凹槽結構的槽腔中。

3.根據權利要求1或2所述的頂柵自對準薄膜晶體管層疊結構，其特征在于，所述遮光材料層的材質為有機遮光材料或無機遮光材料。

4.根據權利要求1或2所述的頂柵自對準薄膜晶體管層疊結構，其特征在于，所述有源層的材質為氧化鋅基材料。

5.根據權利要求1或2所述的頂柵自對準薄膜晶體管層疊結構，其特征在于，所述柵極介質層的材質為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅。

6.根據權利要求1或2所述的頂柵自對準薄膜晶體管層疊結構，其特征在于，所述柵極層的材質為鉬、鋁、鈦、金、銅、鉿或鉭。

7.根據權利要求1或2所述的頂柵自對準薄膜晶體管層疊結構，其特征在于，所述鈍化層的材質為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

8.一種頂柵自對準薄膜晶體管制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

在襯底之上沉積一層遮光材料層，并對遮光材料層進行圖案化工藝而形成凹槽結構；

在凹槽結構的槽底之上形成有源層并進行圖案化工藝；

在有源層之上依次形成柵極介質層和柵極層，并對有源層進行導體化處理；

在柵極層之上形成鈍化層；以及

在鈍化層之上形成源漏極層。

9.根據權利要求8所述的頂柵自對準薄膜晶體管制作方法，其特征在于，柵極介質層和柵極層的形成包括以下步驟：

在有源層之上依次連續沉積柵極介質材料和柵極材料；

對柵極材料進行圖案化工藝而形成柵極層；以及

以柵極層為掩膜對柵極介質材料進行刻蝕而形成柵極介質層。

10.根據權利要求8所述的頂柵自對準薄膜晶體管制作方法，其特征在于，鈍化層的形成包括以下步驟：

在柵極層之上沉積鈍化材料；以及

對鈍化材料進行圖案化工藝而形成供源漏極層設置的孔。