[發明專利]一種硅片制備工藝

在審

• 申請號: 201710735081.3
• 申請日: 2017-08-24
• 公開（公告）號: CN107457921A
• 公開（公告）日: 2017-12-12
• 發明（設計）人: 王少剛;劉曉偉;范猛;劉琦;劉濤;趙朋占;辛超;劉沛然;石海濤;楊旭洲;李建揚;米心愿;劉超;張猛;李彥楠;王宏偉;李海彬;孫青格勒;王心;賈瑞波
• 申請（專利權）人: 天津市環歐半導體材料技術有限公司
• 主分類號: B28D5/04
• 分類號: B28D5/04;B28D7/04;B24B27/06;B08B3/08
• 代理公司: 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙)12213
• 代理人: 欒志超

技術領域

本發明屬于硅片加工領域，尤其是涉及一種硅片制備工藝。

背景技術

金剛石線切割機對于太陽能硅材料切割行業而言，是革命性的進步。硅片作為太陽能發電的主要原料，是太陽能電池最主要的原料；既然將金剛石線切割稱之為革命性進步，顯而易見的是該工藝一定有其獨到的技術優勢。原有鉆石線切割工藝中粘棒過程采用人工粘棒，容易出現個體差異化。利用多線切割硅片是近年來發展成熟的新型硅片切割技術，其機理為機器槽輪在高速運轉中帶動纏繞在槽輪上的鋼線，從而由鋼線將切割液和碳化硅微粉混合的砂漿送到切割區，在鋼線的高速運轉中與壓在線網上的工件通過連續摩擦完成切割的過程，但是在切割的過程中由于產生的粉塵和熱量會對硅片表面造成影響，切割硅片的表面比較粗糙，硅材料損失大，TTV均值一般在20um左右，并不能滿足高性能太陽能電池片的要求。

發明內容

為解決上述技術問題，本發明提供一種硅片制備工藝。

本發明采用的技術方案是：一種硅片制備工藝，工藝步驟包括：

S1單晶粘接，將硅棒粘接到料板上，便于切割；

S2多線切割，用鉆石線將硅棒切割成硅片；

S3脫膠，將切割好的硅片從料板上分離；

S4清洗，將硅片表面清洗干凈。

優選地，S2步驟中多線切割具體步驟為：

S2-1上料，將粘接了硅棒的料板固定在切割設別中；

S2-2勻線網，調整鉆石線，設置切割參數；

S2-3模擬切割，確認線網狀態無跳線；

S2-4鉆石線切割，通過鉆石線將硅棒切割成硅片。

優選地，鉆石線切割采用多線切割方式；

優選地，多線切割方式走線方式為正反切。

優選地，多線切割方式采用空槽線網。

優選地，鉆石線切割過程中保持冷卻液持續噴淋。

優選地，S4步驟中清洗具體步驟為：

S4-1硅片插片，將脫膠后的硅片插入花籃；

S4-2預清洗，將硅片上的污染物軟化、分離、溶解；

S4-3藥液清洗，將硅片表面的油污清洗干凈；

S4-4化學液清洗，除去硅片表面原子、離子不可見的污染，將有機物分解去除；

S4-5漂洗，去除清洗過程中使用的清洗用藥劑；

S4-6慢提拉，甩干烘干硅片表面；

優選地，藥液清洗后進行中間漂洗，藥液清洗進行兩次，中間漂洗進行兩次。

優選地，第二次藥液漂洗采用溢流漂洗槽，增加槽體溢流進水管路。

優選地，S1步驟中單晶粘接具體步驟為：

S1-1粘樹脂板，在料座上粘接樹脂版；

S1-2粘單晶硅棒，在樹脂版上方粘接硅棒；

S1-3固化，充分固定料座、樹脂版和硅棒；

優選地，步驟S3步驟中脫膠具體步驟為：

S3-1鼓泡預清洗，去除硅片表面硅粉；

S3-2噴淋，使用溫水對硅片進行噴淋；

S3-3超聲預清洗，去除硅片縫隙的硅粉；

S3-4浸泡脫膠，將單晶硅片與粘接條之間脫離。

本發明具有的優點和積極效果是：

1通過上述工藝加工產品品質高、崩邊、ttv、warp、花片等不良以及加工成本明顯低于行業水平，提高了硅片的品質，并提高了良品率，降低了生產成本的同時也提高了生產效率；

2工藝步驟中使用自動化機械粘棒機替代了傳統手工粘棒過程，使得粘棒效果更為統一，避免人工粘棒產生的差異，并且明顯提高粘棒速度，節省了人工成本；

3通過變更硅片清洗過程中清洗槽內溶液品類和數量，提高了清洗效率，并且通過改變清洗槽的構造，使新的清洗過程能夠在更為高效的同時保持或超過原有的清洗清潔程度；

4切割硅棒時采用空槽線網的多線切割方式，不僅能夠提高切割效率，更能夠均勻消耗鉆石線，避免局部過度使用，提高鉆石線的使用時長，也避免切割所得硅片品質差異過大。

具體實施方式

下面對本發明的一個實施例做出說明。

本發明涉及1一種硅片制備工藝，其特征在于：工藝步驟包括：1單晶粘 接；2多線切割；3脫膠；4清洗四個步驟。

1單晶粘接

將待切割硅片的方棒狀單晶硅硅棒粘到料座上，采用樹脂版兩面刷膠分別粘接方柱狀的單晶硅硅棒和料座，為后續切割硅棒做準備。

1.1水煮膠的制備