[發明專利]消除深硅刻蝕中晶圓邊緣硅柱缺陷的方法在審
| 申請號： | 201710734054.4 | 申請日： | 2017-08-24 |
| 公開（公告）號： | CN107591322A | 公開（公告）日： | 2018-01-16 |
| 發明（設計）人： | 孫孝翔;熊磊 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/3065 | 分類號： | H01L21/3065;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司31211 | 代理人： | 戴廣志 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 消除 刻蝕 中晶圓 邊緣 缺陷 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種消除深硅刻蝕中晶圓邊緣硅柱缺陷的方法，其特征在于：
在深硅刻蝕完成后，以氟基氣體進行硅干法刻蝕，刻蝕量為硅柱缺陷的側向厚度，以完全消除硅柱缺陷；所述硅柱缺陷是深硅刻蝕之后晶圓表面產生的柱狀硅殘留缺陷。
2.如權利要求1所述的消除深硅刻蝕中晶圓邊緣硅柱缺陷的方法，其特征在于：為了減少刻蝕對晶圓內正常圖形的影響，所述氟基氣體的干法刻蝕采用偏向各向同性的刻蝕，以減少刻蝕量。
3.如權利要求1所述的消除深硅刻蝕中晶圓邊緣硅柱缺陷的方法，其特征在于：硅刻蝕量為硅柱缺陷的側向厚度，即平行于硅平面方向上的厚度，典型的硅柱缺陷側向厚度尺寸為2000～3000?。
4.如權利要求1所述的一種消除深硅刻蝕中晶圓邊緣硅柱缺陷的方法，其特征在于：所述氟基氣體的干法刻蝕是直接在深硅刻蝕后進行，或者是在后續的介質層刻蝕或灰化去膠過程中通過氟基氣體刻蝕來實現。
5.如權利要求1所述的一種消除深硅刻蝕中晶圓邊緣硅柱缺陷的方法，其特征在于：所述氟基氣體包含但不僅限于SF6。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
