[發(fā)明專(zhuān)利]薄膜電感器及制造該薄膜電感器的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710733812.0
• 申請(qǐng)日: 2017-08-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108022715B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-03-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 柳正杰
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 三星電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01F17/00
• 分類(lèi)號(hào): H01F17/00;H01F27/28;H01F27/32;H01F41/04;H01F41/12
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 何巨;金光軍

本公開(kāi)提供一種薄膜電感器及制造該薄膜電感器的方法，所述方法包括：制備具有第一表面和第二表面的載體膜，在所述第一表面上形成有第一上分離層，在所述第二表面上形成有第一下分離層。在所述第一表面上形成包括第一上線(xiàn)圈圖案和第一上絕緣圖案的第一上層。在所述第二表面上形成包括第一下線(xiàn)圈圖案和第一下絕緣圖案的第一下層。研磨所述第一上層的表面。所述第一下線(xiàn)圈圖案的高度小于所述第一下絕緣圖案的高度。

本申請(qǐng)要求于2016年11月1日提交到韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的第10-2016-0144644號(hào)韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)的權(quán)益，所述韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)的公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)引用被全部包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)涉及一種薄膜電感器和制造該薄膜電感器的方法。

背景技術(shù)

電感器元件是電子電路中重要的無(wú)源元件并且主要被用在電子裝置中的諸如直流(DC)-DC轉(zhuǎn)換器的電源電路中，或者被用作用于去除噪聲或構(gòu)成LC諧振電路的組件。根據(jù)智能電話(huà)、平板PC等中對(duì)通信、相機(jī)、游戲等多驅(qū)動(dòng)的需求，增加了對(duì)用于降低電流損耗并提高效率的功率電感器的使用。

電感器元件根據(jù)其結(jié)構(gòu)可以是例如多層式電感器、繞線(xiàn)式電感器和薄膜式電感器等。由于電子裝置已經(jīng)加速小型化和薄型化，因此薄膜電感器元件已經(jīng)被廣泛地使用。

薄膜電感器技術(shù)已需要具有5：1或更大的高寬比的線(xiàn)圈。為了在包括具有高的高寬比的線(xiàn)圈的同時(shí)實(shí)現(xiàn)薄型化，應(yīng)使其上形成有線(xiàn)圈的支撐構(gòu)件變薄。

發(fā)明內(nèi)容

本公開(kāi)的一方面可提供一種薄膜電感器以及制造該薄膜電感器的方法，所述薄膜電感器通過(guò)使用載體膜而包括減小的厚度(例如具有40μm或更小的厚度)的支撐構(gòu)件。

本公開(kāi)的一方面還可提供一種制造薄膜電感器的方法，該方法通過(guò)在載體膜的相對(duì)的第一表面和第二表面上分別形成第一上層和第一下層使得在所述第一下層上形成的第一下絕緣圖案被形成為具有大于第一下線(xiàn)圈圖案的高度的高度，從而能夠在執(zhí)行研磨加工時(shí)提高質(zhì)量。

根據(jù)本公開(kāi)的一方面，一種制造薄膜電感器的方法可包括：制備具有其上形成有第一上分離層的第一表面和其上形成有第一下分離層的第二表面的載體膜。在所述第一表面上形成包括第一上線(xiàn)圈圖案和第一上絕緣圖案的第一上層，并且在所述第二表面上形成包括第一下線(xiàn)圈圖案和第一下絕緣圖案的第一下層。研磨所述第一上層的表面。所述第一下線(xiàn)圈圖案的高度小于所述第一下絕緣圖案的高度。

根據(jù)本公開(kāi)的另一方面，一種薄膜電感器可包括：絕緣部，包括支撐構(gòu)件并且具有包含由磁性材料形成的芯的中央部分。第一線(xiàn)圈圖案和第二線(xiàn)圈圖案位于所述絕緣部中并且通過(guò)穿過(guò)所述支撐構(gòu)件的過(guò)孔彼此電連接，所述支撐構(gòu)件介于所述第一線(xiàn)圈圖案和所述第二線(xiàn)圈圖案之間。上覆蓋部和下覆蓋部由磁性材料形成并且分別位于所述絕緣部的上部和下部上。第一線(xiàn)圈圖案包含導(dǎo)電顆粒和粘合劑，并且所述第二線(xiàn)圈圖案為鍍層。

根據(jù)本公開(kāi)的另一方面，一種制造薄膜電感器的方法可包括：在載體膜的上表面上形成第一上線(xiàn)圈圖案；在所述載體膜的與所述載體膜的所述上表面相對(duì)的下表面上形成第一下線(xiàn)圈圖案；在所述載體膜的所述下表面上在所述第一下線(xiàn)圈圖案之間形成第一下絕緣圖案，其中，所述第一下線(xiàn)圈圖案的高度小于所述第一下絕緣圖案的高度；及在所述第一上線(xiàn)圈圖案由所述第一下絕緣圖案支撐的同時(shí)研磨所述第一上線(xiàn)圈圖案。

附圖說(shuō)明

通過(guò)結(jié)合附圖進(jìn)行的以下詳細(xì)描述，將更加清楚地理解本公開(kāi)的以上和其它方面、特征及優(yōu)點(diǎn)，在附圖中：

圖1是示意性地示出根據(jù)本公開(kāi)的示例性實(shí)施例的制造薄膜電感器的方法的流程圖；

圖2至圖15是示意性地示出根據(jù)本公開(kāi)的示例性實(shí)施例的制造薄膜電感器的方法的截面圖；

圖16至圖24是示意性示出根據(jù)本公開(kāi)的另一示例性實(shí)施例的制造薄膜電感器的方法的截面圖；