[發明專利]一種鈣鈦礦/硅異質結電致發光器件及制備方法在審
| 申請號： | 201710733302.3 | 申請日： | 2017-08-24 |
| 公開（公告）號： | CN107611230A | 公開（公告）日： | 2018-01-19 |
| 發明（設計）人： | 徐駿;劉婧婧;李東珂;季陽;吳仰晴;林澤文;陳坤基 | 申請（專利權）人： | 南京大學 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/26;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙)32249 | 代理人： | 陳建和 |
| 地址： | 210093 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 鈣鈦礦 硅異質結 電致發光 器件 制備 方法 | ||
1.鈣鈦礦/硅異質結電致發光器件，其特征是所述鈣鈦礦電致發光器件的結構自下而上分別為陽極層、空穴傳輸層-電子阻擋層、發光層、電子傳輸-空穴阻擋層和陰極層；空穴傳輸層-電子阻擋層為Si基材料，包括p-Si、p-Si+SiO2、p-Si+SiC、p-Si+SiN以及非晶硅，包括這些但不限于此；發光層為全無機鈣鈦礦CsPbX3，X為一元鹵素元素或多元鹵素元素的組合(X＝Cl，Br，I)，所使用的代表材料的分子式為CsPbCl3，CsPbBr3，CsPbI3，CsPbBr3-xIx，CsPbBr3-xClx。
2.鈣鈦礦/硅異質結電致發光器件，其特征是電致發光器件典型的構成：陽極Al，空穴傳輸層-電子阻擋層p-Si，發光層CsPbX3，電子傳輸層-空穴阻擋層ZnO，陰極ITO。
3.鈣鈦礦/硅異質結電致發光器件，其特征是發光層CsPbX3在Si襯底正面旋涂鈣鈦礦量子點獲得厚度范圍30nm-150nm；磁控濺射ZnO薄膜厚度范圍30nm-100nm；磁控濺射ITO薄膜厚度范圍150nm-400nm。
4.鈣鈦礦/硅異質結電致發光器件的制備方法，其特征是：
1)清洗干凈的p-Si或p-Si+SiO2作為空穴傳輸-電子阻擋以及襯底；
2)利用PECVD或者磁控濺射方法在p-Si或p-Si+SiO2上分別生長SiO2、SiN、SiC硅基材料(包括這些但不限于這些硅基材料)。
3)Si襯底的背面熱蒸發Al薄膜作為陽極；
4)合金化Al薄膜，在管式爐N2保護氣氛中400±30℃保溫30±5min；
5)在Si襯底正面旋涂鈣鈦礦量子點，濃度5mg/ml-10mg/ml；
6)鈣鈦礦量子點放入烘箱中60±10℃、3±1min干燥；
7)磁控濺射ZnO薄膜厚度范圍30nm-100nm；
8)磁控濺射ITO薄膜厚度范圍150nm-400nm。
5.根據權利要求4所述的鈣鈦礦/硅異質結電致發光器件的制備方法，其特征是CsPbBr3量子點制備成綠光發光層，CsPbI3量子點制備成紅光發光層。
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