[發明專利]一種生成PIP電容的工藝方法及PIP電容在審
| 申請號： | 201710733270.7 | 申請日： | 2017-08-24 |
| 公開（公告）號： | CN107611117A | 公開（公告）日： | 2018-01-19 |
| 發明（設計）人： | 杜在凱;周文斌;張磊 | 申請（專利權）人： | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L23/64 | 分類號： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京辰權知識產權代理有限公司11619 | 代理人： | 郎志濤 |
| 地址： | 430074 湖北省武漢市洪山區東*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 生成 pip 電容 工藝 方法 | ||
1.一種生成PIP電容的工藝方法，其特征在于：包括下述步驟：
步驟1：在襯底上沉積第一層多晶硅；
步驟2：通過光阻定義并用干法蝕刻所述第一層多晶硅，形成第一多晶硅層；
步驟3：在第一多晶硅層表面沉積第二層多晶硅；
步驟4：通過光阻定義并用干法蝕刻所述第二層多晶硅，在第一多晶硅層上方形成若干個彼此分立的第二多晶硅層；所述第一多晶硅層和若干個第二多晶硅層共同作為電容下極板區域；
步驟5：在第一多晶硅層和若干個第二多晶硅層表面沉積氧化硅層和氮化硅層形成的電容介電質層；
步驟6：在電容介電質層沉積第三層多晶硅；
步驟7：通過光阻定義并用干法蝕刻所述第三層多晶硅，形成電容上極板區域。
2.根據權利要求1所述的生成PIP電容的工藝方法，其特征在于：所述襯底材料為Si。
3.根據權利要求1所述的生成PIP電容的工藝方法，其特征在于：所述步驟1中沉積第一層多晶硅厚度為1000A-2000A。
4.根據權利要求1所述的生成PIP電容的工藝方法，其特征在于，所述步驟3中沉積第二層多晶硅厚度為300A-500A。
5.根據權利要求1所述的生成PIP電容的工藝方法，其特征在于，所述步驟5中沉積氧化硅厚度為50A-100A，沉積氮化硅厚度為100A-200A。
6.根據權利要求1所述的生成PIP電容的工藝方法，其特征在于，所述步驟6中沉積第三層多晶硅厚度為1200-2000A。
7.一種PIP電容結構，包括電容下極板區域、電容介電質層、電容上極板區域；其特征在于，所述電容下極板區域包括第一多晶硅層，以及形成于所述第一多晶硅層上方且彼此分立的若干個第二多晶硅層。
8.根據權利要求7所述的PIP電容結構，其特征在于，所述第一多晶硅層厚度為1000A-2000A。
9.根據權利要求7所述的PIP電容結構，其特征在于，所述第二層多晶硅層厚度為300A-500A。
10.根據權利要求7所述的PIP電容結構，其特征在于，所述電容上極板區域為多晶硅層，該多晶硅層的厚度為1200-2000A。
11.根據權利要求7所述的PIP電容結構，其特征在于，所述電容介電質層包括氧化硅層和氮化硅層。
12.根據權利要求11所述的PIP電容結構，其特征在于，所述氧化硅層厚度為50A-100A，氮化硅層厚度為100A-200A。
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