[發明專利]一種無機鈣鈦礦太陽能電池及其制備方法有效
| 申請號: | 201710733137.1 | 申請日: | 2017-08-24 |
| 公開(公告)號: | CN107611191B | 公開(公告)日: | 2019-05-03 |
| 發明(設計)人: | 曾昭兵;張京;諸躍進;陳人杰;張英;莊學恒 | 申請(專利權)人: | 寧波大學 |
| 主分類號: | H01L31/0264 | 分類號: | H01L31/0264;H01L31/18 |
| 代理公司: | 杭州五洲普華專利代理事務所(特殊普通合伙) 33260 | 代理人: | 丁少華 |
| 地址: | 315211 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 無機 鈣鈦礦 太陽能電池 及其 制備 方法 | ||
1.一種無機鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于:依次包括如下步驟:
①將PbI2、PbBr2和CsI以摩爾比1:1:2溶解于DMF與DMSO中,攪拌溶解形成鈣鈦礦前驅溶液,然后將醋酸鉛加入鈣鈦礦前驅溶液中,攪拌溶解形成鈣鈦礦溶液;其中,醋酸鉛在鈣鈦礦溶液中的含量為1~20%wt;
②使用溶膠凝膠法在導電玻璃層上涂上一層致密二氧化鈦膜,然后致密二氧化鈦膜經450-500℃處理后再進行四氯化鈦處理,燒結后備用;
③使用勻膠機將鈣鈦礦溶液沉積在步驟②中備用的致密二氧化鈦膜上,轉移至加熱板上經100-350℃退火處理,形成CsPbI2Br晶體膜;
④將空穴傳輸材料的有機溶液均勻的旋涂在CsPbI2Br晶體膜上形成空穴傳輸層;
⑤使用蒸鍍方法,在空穴傳輸層上蒸鍍銀電極層,
制備得到的無機鈣鈦礦太陽能電池包括層狀依次分布的導電玻璃層、致密二氧化鈦膜、CsPbI2Br晶體膜、空穴傳輸層及銀電極層,CsPbI2Br晶體膜由鈣鈦礦溶液制備,CsPbI2Br晶體膜中摻雜有醋酸鉛,鈣鈦礦溶液的溶質為CsI、PbI2、PbBr2和醋酸鉛,鈣鈦礦溶液的溶劑為DMF與DMSO,醋酸鉛在鈣鈦礦溶液中的含量為5~15%wt,致密二氧化鈦膜的厚度為100~150納米,CsPbI2Br晶體膜的厚度為200納米~1.5微米,空穴傳輸層的厚度為250~400納米,銀電極層的厚度為50~200納米,空穴傳輸層的材質為Spiro-OMeTAD或3-己基取代聚噻吩。
2.根據權利要求1所述的無機鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于:所述空穴傳輸材料的有機溶液包括Spiro-OMeTAD、氯苯、四丁基吡啶和雙三氟甲烷磺酰亞胺鋰,Spiro-OMeTAD、四丁基吡啶和雙三氟甲烷磺酰亞胺鋰的摩爾比為10:8:3,Spiro-OMeTAD在空穴傳輸材料的有機溶液中的摩爾濃度為1-1.5M。
3.根據權利要求2所述的無機鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于:所述鈣鈦礦前驅溶液中,CsI,0.208克;PbI2,0.1844克;PbBr2,0.1469克;DMF,0.7mL;DMSO,0.3mL。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





