[發明專利]一種消除體效應中窄溝道效應影響的MOS器件結構有效
| 申請號： | 201710732709.4 | 申請日： | 2017-08-24 |
| 公開（公告）號： | CN107611168B | 公開（公告）日： | 2020-07-10 |
| 發明（設計）人： | 孫超 | 申請（專利權）人： | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京辰權知識產權代理有限公司 11619 | 代理人： | 董李欣 |
| 地址： | 430074 湖北省武漢市洪山區東*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 消除 效應 溝道 影響 mos 器件 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種消除體效應中窄溝道效應影響的MOS器件結構，包括：襯底、源區、柵極、漏區以及溝道區，所述源區、漏區以及溝道區作為有源區；且有源區兩側分別分布STI區；其特征在于，所述有源區兩側的STI區上表面分別設置導體電極，所述導體電極上施加電荷平衡電壓；導體電極是沿與溝道區平行的方向且在STI區上表面延伸的導體條；所述導體電極是與MOS器件本身的柵極或金屬層在同一工序中同時形成的；在導體電極上施加的所述電荷平衡電壓的取值介于0伏到擊穿電壓值。
2.根據權利要求1所述的MOS器件結構，其特征在于，所述導體條的材料為多晶硅導體材料，或者金屬導體材料。
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