[發(fā)明專利]一種深溝槽的預(yù)清洗方法及3DNAND制備工藝

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710732699.4
• 申請(qǐng)日: 2017-08-24
• 公開（公告）號(hào): CN107611007A
• 公開（公告）日: 2018-01-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳俊;吳關(guān)平;王家友;程媛;郭海峰;王凱;郭帥
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L27/1157;H01L27/11578
• 代理公司: 北京辰權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11619
• 代理人: 董李欣

1.一種深溝槽的預(yù)清洗方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供具有深溝槽的被處理部件，并將其置于反應(yīng)腔體中；

向所述反應(yīng)腔體中通入氣體，并形成刻蝕等離子體；

利用所述刻蝕等離子體對(duì)所述被處理部件的所述深溝槽進(jìn)行等離子刻蝕；

等離子刻蝕后維持反應(yīng)腔體的溫度在一定范圍內(nèi)一段時(shí)間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種預(yù)清洗方法，其特征在于：

向所述反應(yīng)腔體中通入氣體為，首先通入氨氣(NH₃)和氮?dú)?N₂)的混合氣體一段時(shí)間后再通入三氟化氮(NF₃)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種預(yù)清洗方法，其特征在于：

所述刻蝕等離子體由下述反應(yīng)式反應(yīng)形成：

N₂+NH₃→H*+NH*(1)

H*+NF₃→NH_xF_y(2)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種預(yù)清洗方法，其特征在于：

向所述反應(yīng)腔體中通入氣體為，通入氨氣(NH₃)和三氟化氮(NF₃)的混合氣體。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種預(yù)清洗方法，其特征在于：

所述被處理部件具有多個(gè)所述深溝槽。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種預(yù)清洗方法，其特征在于：所述被處理部件為隨后要進(jìn)行硅外延生長(zhǎng)的部件。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種預(yù)清洗方法，其特征在于：所述被處理部件為具有多層O/N(Oxide/Nitride)堆疊結(jié)構(gòu)的部件。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種預(yù)清洗方法，其特征在于：所述等離子刻蝕的條件是，等離子源功率為2500-3000W，刻蝕氣體的總流量為1.5-4slm，刻蝕氣壓為1.5-2.5Torr，刻蝕時(shí)間為30-60min。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種預(yù)清洗方法，其特征在于：所述維持反應(yīng)腔體的溫度為180-220℃。

10.一種3D NAND制備工藝，包括以下步驟：

對(duì)深溝槽進(jìn)行預(yù)清洗，所述預(yù)清洗包括以下步驟，提供具有深溝槽的用于制備3D NAND的具有多層O/N(Oxide/Nitride)堆疊結(jié)構(gòu)的部件，并將其置于反應(yīng)腔體中；向所述反應(yīng)腔體中通入氣體，并形成刻蝕等離子體；利用所述刻蝕等離子體對(duì)所述被處理部件的所述深溝槽進(jìn)行等離子刻蝕；等離子刻蝕后維持反應(yīng)腔體的溫度在一定范圍內(nèi)一段時(shí)間；

在預(yù)清洗后的硅襯底表面進(jìn)行硅外延生長(zhǎng)，使得多晶硅溝槽與襯底充分連接，形成電子溝槽。

11.一種3D NAND閃存結(jié)構(gòu)，其由權(quán)利要求9所述的3D NAND制備工藝制備得到。