[發明專利]柱狀弧源和電弧離子鍍膜裝置在審
| 申請號: | 201710732471.5 | 申請日: | 2017-08-22 |
| 公開(公告)號: | CN107723669A | 公開(公告)日: | 2018-02-23 |
| 發明(設計)人: | 高文波;劉潺;夏志鋼 | 申請(專利權)人: | 深圳市生波爾光電技術有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/32 | 分類號: | C23C14/32 |
| 代理公司: | 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所44287 | 代理人: | 胡海國,趙愛蓉 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市坪*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 柱狀 電弧 離子 鍍膜 裝置 | ||
1.一種柱狀弧源,用于電弧離子鍍膜裝置,該電弧離子鍍膜裝置包括罩設于所述柱狀弧源的屏蔽罩,所述柱狀弧源包括磁芯和套設于所述磁芯的靶管,所述磁芯包括磁極管和設于所述磁極管的一磁鐵,其特征在于,所述柱狀弧源還包括連接于所述靶管的傳動機構,所述傳動機構驅動所述靶管轉動。
2.如權利要求1所述的柱狀弧源,其特征在于,所述磁極管沿軸向開設有凹槽,所述磁鐵容納于所述凹槽內,所述磁鐵的一磁極正對所述磁極管,另一磁極背離所述磁極管。
3.如權利要求1所述的柱狀弧源,其特征在于,所述磁極管為碳鋼材質;且/或,所述磁鐵為橡膠磁鐵或永磁鐵。
4.如權利要求1所述的柱狀弧源,其特征在于,所述屏蔽罩開設有濺射口,所述磁芯形成的磁場與所述濺射口至少部分重合。
5.如權利要求1-4任一項所述的柱狀弧源,其特征在于,所述電弧離子鍍膜裝置包括真空室,所述柱狀弧源設于所述真空室的內壁。
6.如權利要求5所述的柱狀弧源,其特征在于,所述柱狀弧源還包括分別設于所述靶管兩端的第一固定座和第二固定座,所述磁芯與所述第一固定座和第二固定座均轉動連接。
7.如權利要求6所述的柱狀弧源,其特征在于,所述柱狀弧源還包括第一端頭和第二端頭,所述第一端頭一端連接于真空室的內壁,另一端與所述第一固定座轉動連接,所述磁芯遠離所述第一固定座的一端穿設所述第二固定座并連接于所述第二端頭。
8.如權利要求6所述的柱狀弧源,其特征在于,所述柱狀弧源還包括設于靶管的同步輪,所述傳動機構通過同步輪驅動所述靶管轉動。
9.如權利要求6所述的柱狀弧源,其特征在于,所述靶管套設有密封件,所述密封件抵持于所述第二固定座。
10.一種電弧離子鍍膜裝置,其特征在于,包括如權利要求1-9任一項所述的柱狀弧源。
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