[發明專利]一種基于四極桿-線性離子阱串聯質譜儀離子碎裂的方法有效
| 申請號： | 201710731347.7 | 申請日： | 2017-08-23 |
| 公開（公告）號： | CN107731655B | 公開（公告）日： | 2019-07-19 |
| 發明（設計）人： | 江游;楚士穎;劉梅英;方向;黃澤建;龔曉云;熊行創 | 申請（專利權）人： | 中國計量科學研究院 |
| 主分類號： | H01J49/42 | 分類號： | H01J49/42 |
| 代理公司： | 北京金智普華知識產權代理有限公司 11401 | 代理人： | 巴曉艷 |
| 地址： | 100013 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 四極桿 線性 離子 串聯 質譜儀 碎裂 方法 | ||
1.一種基于四極桿-線性離子阱串聯質譜儀的離子碎裂方法，其特征在于，所述方法為利用四極桿從離子化離子中選出目標離子并使目標離子進入離子阱，目標離子在離子阱中積累一定濃度后，對目標離子進行冷卻，對四極桿施加射頻電壓，同時，對所述離子阱施加射頻電場，實現對存儲在離子阱中的目標離子的碎裂。
2.如權利要求1所述方法，其特征在于，利用四極桿從離子化離子中選出目標離子的方法具體為：四極桿上同時施加一定的射頻交流電場和直流電場；
選目標離子施加交流電場的電壓Vrf和直流電場的電壓Udc的計算公式如下：
其中a＝0.237，q＝0.706，w＝2πf，f為四極桿頻率，r0為四極桿內接圓半徑，m為目標離子質量數，e為電荷量。
3.如權利要求2所述方法，其特征在于，碎裂過程中對四極桿施加射頻電壓Vrf1與選目標離子施加交流電場的電壓Vrf的關系為：
Vrf1＝bVrf；b的范圍為0.28～1；
碎裂過程中離子阱施加的射頻電壓Vrf2的計算方式為：
其中q1＝0.275。
4.如權利要求3所述方法，其特征在于，所述b取0.31。
6.如權利要求5所述方法，其特征在于，目標離子在離子阱中積累一定濃度后將第一端蓋關閉，四極桿射頻電壓降為0V，并用緩沖氣對目標離子進行冷卻降低目標離子能量。
7.如權利要求5所述方法，其特征在于，四極桿與離子阱第一端蓋的距離為2mm，第一端蓋與離子阱的距離為1.6mm。
8.如權利要求1-7任一所述方法，其特征在于，所述方法中的離子化離子由電噴霧離子源對樣品進行離子化產生。
9.如權利要求1-7任一所述方法，其特征在于，所述離子阱為線性離子阱，為單段阱或三段阱。
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