[發(fā)明專利]像素驅(qū)動(dòng)電路及其驅(qū)動(dòng)方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710730988.0
• 申請(qǐng)日: 2017-08-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107393476A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-11-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周學(xué)兵;陳小龍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G09G3/3233
• 分類號(hào): G09G3/3233
• 代理公司: 深圳市德力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所44265
• 代理人: 林才桂,劉巍

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種像素驅(qū)動(dòng)電路及其驅(qū)動(dòng)方法。

背景技術(shù)

作為新一代顯示技術(shù)，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示面板具有低功耗、高色域、高亮度、高分辨率、寬視角、高響應(yīng)速度等優(yōu)點(diǎn)，因此備受市場(chǎng)的青睞。

OLED顯示裝置按照驅(qū)動(dòng)方式可以分為無(wú)源矩陣型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩陣型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)兩大類。其中，AMOLED具有呈陣列式排布的像素，屬于主動(dòng)顯示類型，發(fā)光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸顯示裝置。AMOLED是電流驅(qū)動(dòng)器件，亮度由流過(guò)OLED自身的電流決定，大部分已有芯片(IC)都只傳輸電壓信號(hào)，故AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路要完成將電壓信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)殡娏餍盘?hào)的任務(wù)。

參見(jiàn)圖1，其為傳統(tǒng)2T1C像素驅(qū)動(dòng)電路示意圖，2T1C指電路主要包括兩個(gè)薄膜晶體管(TFT)和一個(gè)電容(C)，其中一個(gè)薄膜晶體管T2為開(kāi)關(guān)TFT，由掃描信號(hào)SCAN控制，用于控制數(shù)據(jù)信號(hào)(DATA)的進(jìn)入，是控制電容Cst的充電開(kāi)關(guān)，另一個(gè)薄膜晶體管T1為驅(qū)動(dòng)TFT，用于驅(qū)動(dòng)OLED，控制通過(guò)OLED的電流，電容Cst主要是用來(lái)存儲(chǔ)DATA信號(hào)進(jìn)而控制T1對(duì)OLED的驅(qū)動(dòng)電流。掃描信號(hào)SCAN可以來(lái)自于柵極驅(qū)動(dòng)器，對(duì)應(yīng)于某一行掃描線，數(shù)據(jù)信號(hào)DATA可以來(lái)自于源極驅(qū)動(dòng)器，對(duì)應(yīng)于某一列數(shù)據(jù)線。OVDD為電源高電位，OVSS為電源低電位。

AMOLED面板(2T1C像素電路)其驅(qū)動(dòng)TFT(圖1中為T1)閾值電壓Vth將隨工作時(shí)間及驅(qū)動(dòng)電流的變化而發(fā)生漂移現(xiàn)象或者電子遷移率的變化；驅(qū)動(dòng)TFT閾值電壓Vth的漂移或老化將導(dǎo)致流過(guò)OLED的電流Id存在明顯的差異；OLED電流的差異直接導(dǎo)致AMOLED面板的亮度不均勻與不一致；影響AMOLED面板顯示質(zhì)量與畫面效果。

發(fā)明內(nèi)容

因此，本發(fā)明的目的在于提供一種像素驅(qū)動(dòng)電路，消除驅(qū)動(dòng)TFT閾值電壓Vth變化所帶來(lái)的亮度不一致的影響。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法，消除驅(qū)動(dòng)TFT閾值電壓Vth變化所帶來(lái)的亮度不一致的影響。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種像素驅(qū)動(dòng)電路，包括：

第一薄膜晶體管，其柵極連接第一節(jié)點(diǎn)，源極和漏極分別連接電源高電位和第二節(jié)點(diǎn)；

第二薄膜晶體管，其柵極連接第一控制信號(hào)，源極和漏極分別連接第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)；

第三薄膜晶體管，其柵極連接第二控制信號(hào)，源極和漏極分別連接第二節(jié)點(diǎn)和OLED的陽(yáng)極；

OLED，其陰極連接電源低電位；

第四薄膜晶體管，其柵極連接第一控制信號(hào)，源極和漏極分別連接第三節(jié)點(diǎn)和參考電壓；

第五薄膜晶體管，其柵極連接第一控制信號(hào)，源極和漏極分別連接第三節(jié)點(diǎn)和數(shù)據(jù)信號(hào)；

第六薄膜晶體管，其柵極連接第三控制信號(hào)，源極和漏極分別連接第三節(jié)點(diǎn)和第一節(jié)點(diǎn)；

第一電容，其兩端分別連接第一節(jié)點(diǎn)和電源高電位；

第二電容，其兩端分別連接第一節(jié)點(diǎn)和第三節(jié)點(diǎn)；

該參考電壓的電位小于數(shù)據(jù)信號(hào)。

其中，該第一薄膜晶體管，第二薄膜晶體管，第三薄膜晶體管，第五薄膜晶體管，以及第六薄膜晶體管為P型晶體管，該第四薄膜晶體管為N型晶體管。

其中，所述第一控制信號(hào)，第二控制信號(hào)，以及第三控制信號(hào)的時(shí)序配置為包括初始化階段，閾值電壓感測(cè)階段，以及發(fā)光階段。

其中，在初始化階段，所述第一控制信號(hào)保持高電平，第二控制信號(hào)保持高電平，第三控制信號(hào)保持低電平。

其中，在閾值電壓感測(cè)階段，所述第一控制信號(hào)保持低電平，第二控制信號(hào)保持高電平，第三控制信號(hào)保持高電平。

其中，在發(fā)光階段，所述第一控制信號(hào)保持高電平，第二控制信號(hào)保持低電平，第三控制信號(hào)保持高電平。

本發(fā)明還提供了上述像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法，包括：所述第一控制信號(hào)，第二控制信號(hào)，以及第三控制信號(hào)的時(shí)序配置為包括初始化階段，閾值電壓感測(cè)階段，以及發(fā)光階段。

其中，在初始化階段，所述第一控制信號(hào)保持高電平，第二控制信號(hào)保持高電平，第三控制信號(hào)保持低電平。

其中，在閾值電壓感測(cè)階段，所述第一控制信號(hào)保持低電平，第二控制信號(hào)保持高電平，第三控制信號(hào)保持高電平。

其中，在發(fā)光階段，所述第一控制信號(hào)保持高電平，第二控制信號(hào)保持低電平，第三控制信號(hào)保持高電平。