[發明專利]一種防止雜草生長的方法在審
| 申請號: | 201710729985.5 | 申請日: | 2017-08-23 |
| 公開(公告)號: | CN107466510A | 公開(公告)日: | 2017-12-15 |
| 發明(設計)人: | 楊國立 | 申請(專利權)人: | 洪澤立峰現代農業發展有限公司 |
| 主分類號: | A01B79/00 | 分類號: | A01B79/00;A01B79/02;A01G1/00;A01G11/00;A01G13/00 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 防止 雜草 生長 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種防止雜草生長方法領域,具體涉及一種防止雜草生長的方法。
背景技術
廣義的雜草定義則是指生長在對人類活動不利或有害于生產場地的一切植物。主要為草本植物,也包括部分小灌木、蕨類及藻類??砂粗参飳W方法分類外還可按其對水分的適應性分為水生、沼生、濕生和旱生,此外還可根據雜草的營養類型、生長習性和繁殖方式等進行分類。其生物學特性表現為:傳播方式多,繁殖與再生力強,生活周期一般都比作物短,成熟的種子隨熟隨落,抗逆性強,光合作用效益高等。農田雜草的主要為害為:與作物爭奪養料、水分、陽光和空間,妨礙田間通風透光,增加局部氣候溫度,有些則是病蟲中間寄主,促進病蟲害發生;寄生性雜草直接從作物體內吸收養分,從而降低作物的產量和品質。此外,有的雜草的種子或花粉含有毒素,能使人畜中毒。雜草對于農業的發展一直是一個嚴重的阻礙,一般通過除草劑等方法進行雜草的清除,這種方法會對環境造成極大的污染。
發明內容
為解決現有技術的不足,本發明的目的在于提供一種防止雜草生長的方法,能夠有效的起到防止雜草生長并且不會對環境造成污染的效果。
為了實現上述目標,本發明采用如下的技術方案:
一種防止雜草生長的方法,包括步驟
1).將土壤進行高溫處理;
2).將處理后的土壤進行風干處理;
3).將風干后的土壤與營養物質混合,并加入適當的溶液;
4).將農作物進行栽培;
進一步的,步驟1中的高溫處理為溫度350℃~360℃之間進行處理,使其形成干燥粉末狀,土壤內部的雜草種子一并進行處理,防止種子復發。
進一步的,步驟1中的高溫處理為至土壤中的含水量小于百分之2為止。
進一步的,步驟2中的風干處理為通過人造日光燈進行照射。
進一步的,步驟3中的營養物質為化肥。
進一步的,步驟3中的溶液為水。
本發明的有益之處在于:
通過對土壤的高溫處理以及風干處理,能夠有效的使土壤內的雜草種子進行高溫化,使雜草種子無法生長,再通過水與化肥的作用使得土壤內的有機物含量充足,保證農作物種子的發芽以此起到防止雜草再生的效果。
具體實施方式
下面結合實施例對本發明做進一步的描述和說明,但不以任何形式限制本發明。
實施例1
一種防止雜草生長的方法,包括步驟
1).將土壤進行高溫處理;
2).將處理后的土壤進行風干處理;
3).將風干后的土壤與營養物質混合,并加入適當的溶液;
4).將農作物進行栽培;
其中,步驟1中的高溫處理為溫度350℃之間進行處理,使其形成干燥粉末狀,土壤內部的雜草種子一并進行處理,防止種子復發,步驟1中的高溫處理為至土壤中的含水量小于百分之2為止,步驟2中的風干處理為通過人造日光燈進行照射,步驟3中的營養物質為化肥,步驟3中的溶液為水。
實施例2
一種防止雜草生長的方法,包括步驟
1).將土壤進行高溫處理;
2).將處理后的土壤進行風干處理;
3).將風干后的土壤與營養物質混合,并加入適當的溶液;
4).將農作物進行栽培;
其中,步驟1中的高溫處理為溫度360℃之間進行處理,使其形成干燥粉末狀,土壤內部的雜草種子一并進行處理,防止種子復發,步驟1中的高溫處理為至土壤中的含水量小于百分之2為止,步驟2中的風干處理為通過人造日光燈進行照射,步驟3中的營養物質為化肥,步驟3中的溶液為水
在本發明的描述中,需要說明的是,除非另有明確的規定和限定,術語“安裝”、“相連”、“連接”應做廣義理解,例如,可以是固定連接,也可以是可拆卸連接,或一體地連接;可以是機械連接,也可以是電連接;可以是直接相連,也可以通過中間媒介間接相連,可以是兩個元件內部的連通。對于本領域的普通技術人員而言,可以具體情況理解上述術語在本發明中的具體含義。
在本說明書的描述中,參考術語“一個實施例”、“一些實施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結合該實施例或示例描述的具體特征、結構、材料或者特點包含于本發明的至少一個實施例或示例中。在本說明書中,對上述術語的示意性表述不一定指的是相同的實施例或示例。而且,描述的具體特征、結構、材料或者特點可以在任何的一個或多個實施例或示例中以合適的方式結合。
以上顯示和描述了本發明的基本原理、主要特征和優點。本行業的技術人員應該了解,上述實施例不以任何形式限制本發明,凡采用等同替換或等效變換的方式所獲得的技術方案,均落在本發明的保護范圍內。
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