[發明專利]一種掩膜板、其構圖方法及顯示面板有效
| 申請號： | 201710729115.8 | 申請日： | 2017-08-23 |
| 公開（公告）號： | CN107436533B | 公開（公告）日： | 2021-01-15 |
| 發明（設計）人： | 董釗;李保然;徐佳偉;王準;杜蕓;張雷 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/28 | 分類號： | G03F1/28 |
| 代理公司： | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭潤湘 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 掩膜板 構圖 方法 顯示 面板 | ||
1.一種掩膜板，其特征在于，包括：透光區域與遮光區域；其中，
至少部分所述透光區域設置有透光膜層；所述透光膜層的厚度均勻，且所述透光膜層的厚度與所述掩膜板遮光區域的厚度一致；
所述透光膜層的折射率呈設定規律變化，使曝光光源在經過透光膜層后光線的傳輸路徑發生變化，改變了曝光光束在經過透光膜層后光束的光強分布。
2.如權利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述透光區域包括多個子區域，所述透光膜層在同一個所述子區域內連續分布。
3.如權利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述透光區域包括多個子區域，同一個所述子區域內包括多個所述透光膜層，各所述透光膜層之間不存在交疊區域。
4.如權利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述透光膜層在平行于所述掩膜板所在平面內的折射率呈中心對稱的變化趨勢。
5.如權利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述透光膜層在平行于所述掩膜板所在平面內的折射率呈軸對稱的變化趨勢。
6.如權利要求4或5所述的掩膜板，其特征在于，所述透光膜層的折射率隨著與對稱軸之間的垂直距離的增大而增大；或者，
所述透光膜層的折射率隨著與對稱軸之間的垂直距離的增大而減小。
7.如權利要求4或5所述的掩膜板，其特征在于，所述透光膜層的折射率隨著與對稱軸之間的垂直距離的增大呈周期性的梯度變化趨勢。
8.一種采用如權利要求1-7任一項所述的掩膜板的構圖方法，其特征在于，包括：
在需要構圖的膜材表面形成設定厚度的光敏材料層；
將掩膜板設置于所述光敏材料層背離所述膜材一側，所述掩膜板的至少部分透光區域設置有折射率呈設定規律變化的透光膜層，所述透光膜層的厚度均勻，且所述透光膜層的厚度與所述掩膜板遮光區域的厚度一致；
使光源照射所述掩膜板，對所述透光區域對應的光敏材料層進行曝光刻蝕形成立體圖形。
9.一種顯示面板，其特征在于，采用如權利要求8所述的構圖方法制作而成。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
