[發(fā)明專利]用于半導體工藝模塊的邊環(huán)或工藝配件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710729052.6
• 申請日: 2017-08-23
• 公開（公告）號: CN107768225A
• 公開（公告）日: 2018-03-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 艾倫·L·丹布拉;舍什拉伊·L·圖爾什巴瓦勒
• 申請（專利權(quán)）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;G01D21/00
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11006
• 代理人: 徐金國,趙靜

1.一種用于等離子體處理腔室的環(huán)，所述環(huán)包括：

主體，所述主體具有頂表面、底表面和內(nèi)徑壁；以及

磨損指示材料，所述磨損指示材料設(shè)置在所述主體中，所述磨損指示材料在所述主體的所述頂表面下方間隔開來，所述磨損指示材料不同于構(gòu)成所述主體的材料。

2.如權(quán)利要求1所述的環(huán)，其中所述磨損指示材料包括：

圓柱銷。

3.如權(quán)利要求1所述的環(huán)，其中所述磨損指示材料包括：

環(huán)形帶。

4.如權(quán)利要求1所述的環(huán)，其中所述磨損指示材料包括：

一反射率，所述反射率不同于所述邊環(huán)的所述主體的反射率。

5.如權(quán)利要求1所述的環(huán)，其中所述磨損指示材料包括：

一材料，當將所述磨損指示材料和所述主體暴露于等離子體時所述材料發(fā)射出的離子不同于從所述主體發(fā)射的離子。

6.如權(quán)利要求1所述的環(huán)，其中所述磨損指示材料是SiO并且所述主體的所述材料是石英。

7.一種等離子體處理腔室，包括：

腔室主體，所述腔室主體具有內(nèi)部容積；

基板支撐件，所述基板支撐件設(shè)置在所述內(nèi)部容積中；

環(huán)，所述環(huán)設(shè)置在所述基板支撐件上，所述環(huán)包括：

主體，所述主體具有頂表面、底表面和內(nèi)徑壁；和

磨損指示材料，所述磨損指示材料設(shè)置在所述主體中，所述磨損指示材料在所述主體的所述頂表面下方間隔開來，所述磨損指示材料不同于構(gòu)成所述主體的材料；以及

一或多個傳感器，所述一或多個傳感器被定位成與所述環(huán)接合，所述一或多個傳感器被構(gòu)造成檢測所述磨損指示材料。

8.如權(quán)利要求7所述的等離子體處理腔室，其中所述磨損指示材料進一步包括：

SiO材料，當將所述磨損指示材料和所述主體暴露于等離子體時，所述SiO材料發(fā)射的離子不同于從由石英材料形成的所述主體發(fā)射的離子。

9.一種檢測環(huán)組件中侵蝕的方法，所述方法包括：

在等離子體處理腔室中利用等離子體進行處理之前獲得指示設(shè)置在所述等離子體處理腔室中的基板支撐件上的環(huán)組件的磨損的度量；

利用傳感器監(jiān)測所述環(huán)組件的所述度量；

確定所述度量超過閾值；以及

響應于所述度量超過所述閾值而生成信號。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述環(huán)組件包括邊環(huán)和外環(huán)，其中所述邊環(huán)具有主體并且含有硅，所述主體具有頂表面。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，所述方法進一步包括：

利用設(shè)置在所述等離子體處理腔室中、在所述邊環(huán)上方的所述傳感器檢測對嵌入在所述頂表面下方的所述主體中的信號材料的侵蝕。

12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述信號材料是可通過所述邊環(huán)的所述主體的底部達到的插件。

13.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述信號材料是設(shè)置在沿所述主體的所述頂表面設(shè)置的含硅層下方的層。

14.如權(quán)利要求10所述的方法，所述方法進一步包括：

利用設(shè)置在所述邊環(huán)下方的電磁傳感器測量在存在所述等離子體時跨所述邊環(huán)的電阻；以及

基于所述測量到的電阻的值來修改工藝參數(shù)或維護進度。

15.如權(quán)利要求10所述的方法，所述方法進一步包括：

利用所述傳感器測量在存在所述等離子體時跨所述邊環(huán)的距離，其中所述傳感器是嵌入所述基板支撐件中的電磁傳感器。

16.如權(quán)利要求10所述的方法，所述方法進一步包括：

利用所述傳感器測量距所述邊環(huán)的所述頂表面的距離，其中所述傳感器是設(shè)置在所述等離子體處理腔室中并暴露于所述等離子體的傳感器；以及

確定所述距離超過最大閾值。

17.如權(quán)利要求10所述的方法，所述方法進一步包括：

利用所述傳感器測量距所述邊環(huán)的所述頂表面的距離，其中所述傳感器設(shè)置在所述基板支撐件中；以及

確定所述距離超過最大閾值。

18.如權(quán)利要求17所述的方法，所述方法進一步包括：

利用聲學傳感器從所述邊環(huán)下方獲得聲學信號。