[發明專利]用于沉積氟氧化鋁層以快速恢復在蝕刻腔室中的蝕刻量的方法

在審

• 申請號: 201710728796.6
• 申請日: 2017-08-23
• 公開（公告）號: CN107768279A
• 公開（公告）日: 2018-03-06
• 發明（設計）人: 王建齊;尤吉塔·巴瑞克;朱麗亞·巴文;凱文·A·派克
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司11006
• 代理人: 徐金國,趙靜

1.一種用于處理腔室中的腔室部件，包括：

主體，所述主體在等離子體處理腔室中使用；

氧化物阻擋層，所述氧化物阻擋層形成在所述主體的暴露表面的至少一部分上，所述氧化物阻擋層具有約2gm/cm³或更大的密度；以及

氟氧化鋁層，所述氟氧化鋁層形成在所述氧化物阻擋層上，所述氟氧化鋁層具有約2nm或更大的厚度。

2.如權利要求1所述的腔室部件，其中所述主體包括鋁、不銹鋼、氧化鋁、氮化鋁或陶瓷。

3.如權利要求1所述的腔室部件，其中所述主體由單塊鋁、不銹鋼、氧化鋁、氮化鋁或陶瓷形成。

4.如權利要求1所述的腔室部件，其中所述主體由單塊不銹鋼形成，并且隨后涂布鋁、氧化鋁、氮化鋁或陶瓷。

5.如權利要求1所述的腔室部件，其中所述主體包括：

核心；

鋁涂層，所述鋁涂層形成在所述核心之上。

6.如權利要求1所述的腔室部件，其中所述氧化物阻擋層是原生氧化物。

7.如權利要求1所述的腔室部件，其中所述氟氧化鋁層具有約4nm至約12nm的厚度。

8.如權利要求1所述的腔室部件，其中所述主體具有約16μin至約220μin的平均表面粗糙度。

9.一種處理腔室部件的方法，包括：

將腔室部件主體的暴露表面的至少一部分暴露于氧，其中所述腔室部件主體的所述暴露表面包括鋁；以及

將所述腔室部件主體在約5℃至約50℃的溫度下暴露于包括氫氟酸(HF)、氟化銨(NH₄F)、乙二醇和水的溶液達約30分鐘或更久，以便將氧化物阻擋層的至少一部分轉換成氟氧化鋁層。

10.如權利要求9所述的方法，其中使用包括原子氧(O)、分子氧(O₂)、臭氧(O₃)或蒸汽(H₂O)的含氧氣體在高溫氧化爐中形成所述氧化物阻擋層。

11.如權利要求10所述的方法，其中所述氧化物阻擋層具有約2gm/cm³或更大的密度。

12.如權利要求9所述的方法，其中所述氧化物阻擋層使用臭氧/TEOS通過低于常壓、基于非等離子體的沉積工藝而形成。

13.如權利要求12所述的方法，其中所述氧化物阻擋層在氮氣環境中經受退火工藝。

14.如權利要求13所述的方法，其中所述氧化物阻擋層具有約10gm/cm³或更大的密度。

15.如權利要求9所述的方法，其中所述氧化物阻擋層是原生氧化物。

16.如權利要求9所述的方法，其中所述氧化物阻擋層具有約2nm至約18nm的厚度。

17.如權利要求9所述的方法，其中所述腔室部件主體在約20℃至約30℃的溫度范圍下暴露于所述溶液。

18.如權利要求9所述的方法，其中所述氟化銨為固態或水溶液。

19.一種處理腔室部件的方法，包括：

在腔室部件主體的暴露表面的至少一部分上形成氧化物阻擋層，其中所述腔室部件主體的所述暴露表面包括鋁；以及

通過將所述腔室部件主體暴露于在約5℃至約50℃的溫度下的包括約29體積％的49％氫氟酸(HF)、約11體積％的40％氟化銨(NH₄F)和60體積％的100％乙二醇達約30分鐘或更久，在所述氧化物阻擋層上形成氟氧化鋁層。

20.如權利要求19所述的方法，其中所述氧化物阻擋層具有約2gm/cm³或更大的密度。