[發明專利]一種光掩模清洗工藝

在審

• 申請號: 201710728019.1
• 申請日: 2017-08-23
• 公開（公告）號: CN107490933A
• 公開（公告）日: 2017-12-19
• 發明（設計）人: 張坤;劉藩東;夏志良
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: G03F1/82
• 分類號: G03F1/82
• 代理公司: 北京辰權知識產權代理有限公司11619
• 代理人: 佟林松

技術領域

本發明涉及一種光掩模清洗工藝，具體涉及一種光掩模清洗工藝。

背景技術

光掩膜是微電子制造領域中光刻工藝所使用的圖形母版，是由不透光的遮光薄膜在透明基板上形成掩模圖形，并通過曝光將圖形轉印到產品基板之上。對于制造超大規模集成電路(VLSI)和特大規模集成電路(ULSI)，光掩模技術越來越重要，通常一套高級的光掩模需要百萬美金。在制造光掩模時，掩模上會殘留SO₄^2-和NH⁴⁺，曝光時在193nm或者193nm以下波長的照射下(如172nm)，掩模板上會逐漸生成霧狀缺陷(haze),通過對霧狀缺陷成分的分析，硫酸銨(NH₄)₂SO₄)化合物被認為是最主要的霧狀缺陷的問題。因此，需要定期清洗光掩模以去除掩模上的Haze。為了防止環境對光掩模的污染，一般會在掩模板上覆蓋一層薄膜，去膜后掩模板上會殘留大量的粘合劑，由于現在的清洗工藝缺陷和光掩模精度要求，一般掩模板清洗3次左右就需要重新制板，導致耗費巨大的費用，可見光掩模清洗是光掩模制造過程中最重要的工藝步驟之一。

目前，光掩模清洗工藝忽略了清洗劑對相移膜(MoSiON)、光阻擋膜(Cr/CrO)和粘合劑的不同影響，例如，現有技術中光掩模，如圖1，包括1-光掩模，4-殘膠，6-薄膜，經過脫模后，如圖2，包括1-光掩模，4-殘膠，然后選用常用的半導體濕式清洗技術中化學清洗液清洗光掩膜后，不僅會在光掩模上殘留高濃度的離子，見表1，而且整個光掩模區域都被清洗一遍，使得有效的光掩模區域在清洗時難以保護起來。

表1-光掩模上殘留的高濃度離子(ppb＝μg/l)

離子Cr^-NO^2-NO^3-SO₄^2-Na⁺NH₄⁺K⁺結果2.500.150.2362.992.166.440.22檢測極限0.050.080.080.060.020.010.03