[發明專利]一種芯片后端金屬制程工藝有效
| 申請號： | 201710727939.1 | 申請日： | 2017-08-23 |
| 公開（公告）號： | CN107658261B | 公開（公告）日： | 2019-02-01 |
| 發明（設計）人： | 張坤;劉藩東;夏志良 | 申請（專利權）人： | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京辰權知識產權代理有限公司 11619 | 代理人： | 董李欣 |
| 地址： | 430074 湖北省武漢市洪山區東*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 芯片 后端 金屬 工藝 | ||
1.一種芯片后端金屬制程工藝，其特征在于：包括以下步驟：
提供晶圓襯底，并在襯底表面沉積絕緣層；
在所述絕緣層表面沉積一層薄的金屬籽晶層；
在所述金屬籽晶層表面涂覆光刻膠層；
光刻以在所述光刻膠層形成通至所述金屬籽晶層表面的光刻通孔；
在所述光刻通孔底部的所述金屬籽晶層表面沉積金屬以填充所述光刻通孔；
去除所述光刻膠層；
快速刻蝕以去除表面未沉積金屬的所述金屬籽晶層并露出絕緣層，所述快速刻蝕為快速濕法刻蝕；
沉積阻擋層以覆蓋所述沉積金屬；
垂直干法刻蝕以去除水平方向的所述阻擋層；
沉積絕緣層并包圍覆蓋所述沉積金屬和阻擋層；
平坦化處理以露出所述沉積金屬和阻擋層的頂面。
2.根據權利要求1所述的一種芯片后端金屬制程工藝，其特征在于：所述金屬為銅(Cu)或鎢(W)。
3.根據權利要求1或2所述的一種芯片后端金屬制程工藝，其特征在于：所述沉積一層薄的金屬籽晶層，采用物理氣相沉積工藝。
4.根據權利要求1或2所述的一種芯片后端金屬制程工藝，其特征在于：所述沉積金屬以填充所述光刻通孔，采用電化學鍍工藝或物理氣相沉積工藝。
5.根據權利要求1或2所述的一種芯片后端金屬制程工藝，其特征在于：去除所述光刻膠層后，還包括濕法清洗光刻膠層殘留物。
6.根據權利要求2所述的一種芯片后端金屬制程工藝，其特征在于：所述阻擋層為氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)、鉭(Ta)或氮化鉭(TaN)、鈦(Ti)或氮化鈦(TiN)。
7.根據權利要求1或2所述的一種芯片后端金屬制程工藝，其特征在于：所述平坦化處理采用采用化學機械研磨工藝(CMP)。
8.根據權利要求1或2所述的芯片后端金屬制程工藝，其特征在于：所述干法刻蝕為無阻擋式干法刻蝕(Blanket Dry Etch)。
9.一種芯片結構，其特征在于：其是由權利要求1-8中任意一項所述的后端金屬制程工藝制備得到。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
