[發明專利]一種MoS2 有效
| 申請號： | 201710727782.2 | 申請日： | 2017-08-23 |
| 公開（公告）號： | CN107486045B | 公開（公告）日： | 2020-08-21 |
| 發明（設計）人： | 秦振平;周敬源;郭紅霞;安全福;張國俊;紀淑蘭 | 申請（專利權）人： | 北京工業大學 |
| 主分類號： | B01D71/82 | 分類號： | B01D71/82;B01D69/12;B01D69/02;B01D67/00;B01D61/00 |
| 代理公司： | 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203 | 代理人： | 張立改 |
| 地址： | 100124 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 mos base sub | ||
1.一種MoS2/聚電解質雜化納濾膜的制備方法，其特征在于，包括以下具體步驟：
步驟（1）PDDA表面修飾的納米MoS2的制備方法：將鉬源、硫源加入到去離子水中混合，攪拌至完全溶解，緩慢滴入聚電解質聚二烯丙基二甲基氯化銨（PDDA）的溶液中，攪拌12-36h，置于反應釜中，在150-280℃下水熱反應15-36h，自然冷卻后用去離子水和無水乙醇離心洗滌，在40-110℃干燥12-24h后研磨，即得PDDA 修飾的MoS2二維層狀粒子；
步驟（2）聚電解質溶液的配制：將陽離子聚電解質溶解于去離子水中配制成1.0-10.0g/L的聚電解質溶液，另將濃度為0.1-1.0g/L步驟(1)制備的PDDA表面修飾的納米MoS2加入到陽離子聚電解質溶液中，超聲0.25-4h；另外，配制1.0-10.0g/L濃度的陰離子聚電解質溶液備用；
步驟（3）MoS2/聚電解質雜化膜的制備：將預處理后荷負電性的聚丙烯腈基膜，浸漬于步驟（2）配制的含有PDDA表面修飾的納米MoS2的陽離子聚電解質溶液中，10-40min后將基膜取出，用去離子水沖洗干凈；然后再將該膜浸漬于步驟（2）配制的陰離子聚電解質溶液中，10-40min后取出，用去離子水沖洗干凈，重復上述操作2-8次，復合膜在30-50℃干燥1-6h，得到MoS2/聚電解質雜化納濾膜。
2.按照權利要求1所述的一種MoS2/聚電解質雜化納濾膜的制備方法，其特征在于，鉬源、硫源的質量比為1:（1-3）。
3.按照權利要求2所述的一種MoS2/聚電解質雜化納濾膜的制備方法，其特征在于，鉬源、硫源的質量比為1:2。
4.按照權利要求1所述的一種MoS2/聚電解質雜化納濾膜的制備方法，其特征在于，聚電解質聚二烯丙基二甲基氯化銨占鉬源和硫源總量的3.0wt%-15.0wt%。
5.按照權利要求1所述的一種MoS2/聚電解質雜化納濾膜的制備方法，其特征在于，所述的硫源優選自硫脲、硫代乙酰胺和硫化鈉。
6.按照權利要求1所述的一種MoS2/聚電解質雜化納濾膜的制備方法，其特征在于，所述的鉬源優選自四水合鉬酸銨、鉬酸鈉和硫代鉬酸銨。
7.按照權利要求1所述的一種MoS2/聚電解質雜化納濾膜的制備方法，其特征在于，所述的陽離子聚電解質選自聚二甲基二烯丙基氯化銨（PDDA）、殼聚糖。
8.按照權利要求1所述的一種MoS2/聚電解質雜化納濾膜的制備方法，其特征在于，所述的陰離子聚電解質選自木質素磺酸鈉、海藻酸鈉或聚苯乙烯磺酸鈉（PSS）。
9.一種MoS2/聚電解質雜化納濾膜，其特征在于，采用權利要求1-8任一項所述方法制備得到。
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