[發(fā)明專利]一種新型IGBT模塊封裝結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710726863.0
• 申請(qǐng)日: 2017-08-23
• 公開（公告）號(hào): CN107507808A
• 公開（公告）日: 2017-12-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 諶容;許海東;陳飛;姜季均
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南京晟芯半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/04
• 分類號(hào): H01L23/04;H01L23/367;H01L23/373;H01L25/11
• 代理公司: 北京挺立專利事務(wù)所(普通合伙)11265
• 代理人: 倪鉅芳

1.一種新型IGBT模塊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括外殼（1）、底板（2）、散熱基板（3）、端子（7）、芯片結(jié)構(gòu)、Pin針（6）、信號(hào)端子（10）、G極鍵合鋁線（11）、銅線（12）；

所述外殼，內(nèi)部設(shè)置上述部件；

所述底板，設(shè)置在所述外殼的底部并貫穿所述外殼，頂部設(shè)置所述散熱基板；

所述散熱基板，設(shè)置在所述底板的上部，其上側(cè)設(shè)置所述端子、所述芯片結(jié)構(gòu)、所述Pin針；

所述G極鍵合鋁線，連接所述散熱基板和所述芯片結(jié)構(gòu)；

所述信號(hào)端子，通過支架（4）設(shè)置在所述底部的上部；

所述銅線，兩側(cè)分別連接所述信號(hào)端子和所述Pin針。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型IGBT模塊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片結(jié)構(gòu)包括FWD模塊（8）、IGBT模塊（9）和銅片（5）；

所述銅片（5）設(shè)置多個(gè)，分別置于所述散熱基板的上側(cè)，其上側(cè)分別安裝所述FWD模塊和所述IGBT模塊。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的新型IGBT模塊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述銅片的面積大于所述FWD模塊的面積，所述銅片的面積大于所述IGBT模塊的面積。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型IGBT模塊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述信號(hào)端子于所述外殼內(nèi)的位置設(shè)置穿線孔（13），

所述穿線孔的大小與所述銅線的橫截面相適配。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型IGBT模塊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述Pin針呈“L”形結(jié)構(gòu)，其頂部設(shè)置U形孔（14），底部設(shè)置圓孔（15）。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型IGBT模塊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括散熱器（16），所述散熱器置于所述底板的下側(cè)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型IGBT模塊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述散熱基板設(shè)有GE極的鋁線鍵合區(qū)（17）和Pin針焊接區(qū)（18）；

所述GE極的鋁線鍵合區(qū)和Pin針焊接區(qū)成對(duì)設(shè)置，設(shè)置為多對(duì)，且呈“U” 形設(shè)置。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型IGBT模塊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述散熱基板為陶瓷散熱基板。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的新型IGBT模塊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述陶瓷散熱基板為DBC板。