[發明專利]一種薄膜晶體管及其制作方法、電子器件

有效

• 申請號: 201710725264.7
• 申請日: 2017-08-22
• 公開（公告）號: CN109427974B
• 公開（公告）日: 2021-02-19
• 發明（設計）人: 孟虎;梁學磊;夏繼業;黃奇
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京大學
• 主分類號: H01L51/00
• 分類號: H01L51/00;H01L51/40;H01L51/05
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;劉偉

本發明涉及半導體技術領域，公開了一種薄膜晶體管及其制作方法、電子器件。所述薄膜晶體管利用鈍化層對有源層進行鈍化，其中，形成所述鈍化層的步驟包括形成絕緣的第一金屬氧化物層，所述第一金屬氧化物層能夠使所述有源層的費米能級向禁帶的靠近價帶的一側移動，對有源層具有空穴摻雜的效果，從而能夠克服現有的鈍化技術會導致薄膜晶體管的雙極性的問題，提升產品的性能。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別是涉及一種薄膜晶體管及其制作方法、電子器件。

背景技術

近年來，薄膜晶體管以其優異的電學和機械性能受到越來越多的關注。底柵型薄膜晶體管的器件結構減少了制備的過程中經過的工藝步數，避免其受到更多的污染，是一種適合于大規模生產的器件結構。

由于底柵型薄膜晶體管的有源層的溝道區暴漏在空氣中，容易受到空氣中水和氧氣的影響，會導致晶體管產生比較大的回滯，這抑制了其在顯示領域的應用?，F今的鈍化方式包括：直接在有源層上用原子層沉積生長氧化物、用等離子體增強化學氣相沉積法制備的氮化硅和氧化硅、有機材料旋涂鈍化等，這些鈍化方法會導致器件出現雙極性等問題。

發明內容

本發明提供一種薄膜晶體管及其制作方法、電子器件，用以提供一種薄膜晶體管的鈍化方法，用以解決現有的鈍化方法會對導致器件出現雙極性的問題。

為解決上述技術問題，本發明實施例中提供一種薄膜晶體管的制作方法，包括：

提供一基底；

在所述基底上形成有源層、源電極和漏電極，所述有源層包括與源電極電性接觸的源區、與漏電極電性接觸的漏區及位于源區和漏區之間的溝道區，所述制作方法還包括：

在所述有源層背離所述基底的表面上形成至少覆蓋所述溝道區的鈍化層；

形成所述鈍化層的步驟包括：

形成絕緣的第一金屬氧化物層，所述第一金屬氧化物層能夠使所述有源層的費米能級向禁帶的靠近價帶的一側移動。

如上所述的制作方法，其中，形成所述鈍化層的步驟還包括：

形成絕緣的第二金屬氧化物層，所述第二金屬氧化物層能夠使所述有源層的費米能級向禁帶的靠近導帶的一側移動，在所述第一金屬氧化物層和第二金屬氧化物層的共同作用下，所述有源層的多數載流子為空穴。

如上所述的制作方法，其中，形成所述鈍化層的步驟具體為：

在所述有源層的背離所述基底的表面上形成第一金屬氧化物層；

在所述第一金屬氧化物層的背離所述有源層的表面上形成第二金屬氧化物層。

如上所述的制作方法，其中，所述第一金屬氧化物層為氧化釔層，所述第二金屬氧化物層為氧化鋁層。

如上所述的制作方法，其中，形成氧化釔層的步驟具體為：

在所述基底上形成金屬釔薄膜；

對形成有所述金屬釔薄膜的基底進行氧化工藝，形成氧化釔薄膜；

對所述氧化釔薄膜進行構圖工藝，形成所述氧化釔層。

如上所述的制作方法，其中，進行加熱，或，在紫外光的照射下，利用臭氧對所述金屬釔薄膜進行氧化。

如上所述的制作方法，其中，具體利用電子束鍍膜工藝在所述基底上形成金屬釔薄膜。

如上所述的制作方法，其中，具體利用原子層沉積在所述氧化釔層的背離所述有源層的表面上形成氧化鋁薄膜，并對所述氧化鋁薄膜進行構圖工藝，形成所述氧化鋁層。

如上所述的制作方法，其中，所述有源層由網絡碳納米管制得。