[發(fā)明專利]一種發(fā)光二極管的外延片及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710724777.6 | 申請日： | 2017-08-22 |
| 公開（公告）號： | CN107658374A | 公開（公告）日： | 2018-02-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 郭炳磊;葛永暉;魏曉駿;呂蒙普;胡加輝;李鵬 | 申請（專利權(quán)）人： | 華燦光電（浙江）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/12 | 分類號： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金華市義*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 發(fā)光二極管 外延 及其 制備 方法 | ||
1.一種發(fā)光二極管的外延片，所述外延片包括襯底以及依次層疊在所述襯底上的緩沖層、N型氮化鎵層、多量子阱層、電子阻擋層和P型氮化鎵層，其特征在于，所述外延片還包括層疊在所述緩沖層和所述N型氮化鎵層之間的復(fù)合層，所述復(fù)合層包括多個氮化鎵層和多個氧化鋅層，所述多個氮化鎵層和所述多個氧化鋅層交替層疊設(shè)置；所述氮化鎵層的厚度為所述氧化鋅層的厚度的3倍～5倍。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延片，其特征在于，各個所述氧化鋅層的厚度為5nm～100nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的外延片，其特征在于，各個所述氮化鎵層的厚度為25nm～300nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述復(fù)合層的厚度為0.2μm～2μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述多個氧化鋅層的數(shù)量與所述多個氮化鎵層的數(shù)量相同，所述多個氮化鎵層的數(shù)量為5個～50個。
6.一種發(fā)光二極管的外延片的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：
在襯底上生長緩沖層；
在所述緩沖層交替生長多個氮化鎵層和多個氧化鋅層，形成復(fù)合層，所述氮化鎵層的厚度為所述氧化鋅層的厚度的3倍～5倍；
在所述復(fù)合層上依次生長N型氮化鎵層、多量子阱層、電子阻擋層和P型氮化鎵層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述在所述緩沖層交替生長多個氮化鎵層和多個氧化鋅層，包括：
采用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉淀技術(shù)生長所述氧化鋅層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述氧化鋅層的生長條件與所述氮化鎵層的生長條件相同，所述生長條件包括生長溫度和生長壓力。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述復(fù)合層的生長溫度為1000℃～1100℃。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述復(fù)合層的生長壓力為100torr～500torr。
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