[發明專利]一種可彎曲磁場測量裝置及其制備方法

在審

• 申請號: 201710724664.6
• 申請日: 2017-08-22
• 公開（公告）號: CN107576922A
• 公開（公告）日: 2018-01-12
• 發明（設計）人: 邱景;昌琦杰;胡振文;何星躲;龍奕兵
• 申請（專利權）人: 重慶大學
• 主分類號: G01R33/02
• 分類號: G01R33/02
• 代理公司: 北京同恒源知識產權代理有限公司11275
• 代理人: 趙榮之

1.一種可彎曲磁場測量裝置，其特征在于，包括自下而上依次層疊設置的柔性基底層(1)、金屬緩沖層(2)、磁致伸縮層(3)、壓電薄膜層(4)和保護層(7)，所述壓電薄膜層面對該保護層的對應側上設有嵌于該保護層內的換能器層，所述換能器層由叉指換能器(5)和反射柵(6)構成諧振型結構。

2.根據權利要求1所述的可彎曲磁場測量裝置，其特征在于，所述換能器層的諧振型結構采用單端對結構，包括一叉指換能器和位于該叉指換能器兩側的反射柵。

3.根據權利要求1所述的可彎曲磁場測量裝置，其特征在于，所述換能器層的諧振型結構采用雙端對結構，包括呈間隔分布的兩叉指換能器和位于該兩叉指換能器兩側或中間的反射柵。

4.根據權利要求1-3任一項所述的可彎曲磁場測量裝置，其特征在于，所述柔性基底層的厚度大于2倍的所述叉指換能器的全波波長；所述金屬緩沖層的厚度為30～60nm；所述磁致伸縮層的厚度為0.5～1.5μm；所述壓電薄膜的厚度為0.4～1μm；所述保護層的厚度為200～500nm。

5.根據權利要求4所述的可彎曲磁場測量裝置，其特征在于，所述柔性基底層的材料為聚脂、聚酰亞胺、液晶聚合物、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚甲醛、聚丙烯、聚氯乙烯、聚甲基丙烯酸甲脂、聚乙烯對苯二甲酯、聚丙烯己二酯、聚四氟乙烯、丙烯腈-苯乙烯-丁二烯共聚物、聚砜、尼龍、PDMS中的任一種有機材料制備。

6.根據權利要求4所述的可彎曲磁場測量裝置，其特征在于，所述金屬緩沖層的材料為Mo、Al、Cr、Ti、Pt或Ta中的一種。

7.根據權利要求4所述的可彎曲磁場測量裝置，其特征在于，所述磁致伸縮層的材料為FeCoSiB、FeGa、FeGaB、NiFe、FeCoB或FeSiB中的一種。

8.根據權利要求4所述的可彎曲磁場測量裝置，其特征在于，所述保護層的材料采用氧化物材料或壓電薄膜層的材料。

9.根據權利要求8所述的可彎曲磁場測量裝置，其特征在于，所述壓電薄膜層的材料為AlN、ZnO、PVDF或PZT中的一種。

10.由權利要求1-9任一項所述的可彎曲磁場測量裝置的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：首先，利用磁控濺射技術在柔性襯底層上沉積金屬緩沖層；然后，再次利用磁控濺射技術對制備好的所述金屬緩沖層上沉積磁致伸縮層；然后，繼續利用磁控濺射技術對制備好的所述磁致伸縮層上沉積壓電薄膜層；然后，結合光刻技術和刻蝕工藝對制備好的所述壓電薄膜層上制得換能器層；最后，還是利用磁控濺射技術對制備好的所述換能器層上覆蓋保護層。