[發明專利]研磨元件、研磨輪及使用研磨輪制造半導體封裝的方法

有效

• 申請號: 201710723477.6
• 申請日: 2017-08-22
• 公開（公告）號: CN109262447B
• 公開（公告）日: 2022-04-29
• 發明（設計）人: 茅一超;張進傳;林俊成;張文華
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: B24B37/11
• 分類號: B24B37/11;H01L21/56;H01L21/304
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 顧伯興

提供一種安裝在研磨輪上的研磨元件以及一種含有所述研磨元件的研磨輪用于進行研磨。所述研磨元件包括研磨齒，且所述研磨齒包含研磨材料，所述研磨材料具有框架結構以及分布在所述框架結構中的孔隙。所述框架結構包含粘合材料及由所述粘合材料粘合的磨料微粒。所述孔隙的孔徑大于40微米但小于70微米。還提供一種使用所述研磨輪制造半導體封裝的方法。

技術領域

本公開的實施例涉及一種研磨輪的研磨元件、研磨輪以及制造半導體封裝的方法。

背景技術

研磨是用于薄化半導體晶片的管芯并減小半導體封裝的厚度的一種最常用的技術。由于許多集成電路及電子裝置是自半導體晶片制造而成，因此受控良好的晶片薄化或封裝薄化對裝置性能及可靠性是有利的且有價值的。

發明內容

一種研磨輪的研磨元件包括研磨齒。所述研磨齒包含研磨材料。所述研磨材料具有：框架結構，包含磨料微粒及粘合所述磨料微粒的粘合材料；以及孔隙，分布在所述框架結構中。所述孔隙的孔徑大于40微米且小于70微米。

附圖說明

結合附圖閱讀以下詳細說明，會最好地理解本發明的各個方面。應注意，根據本行業中的標準慣例，各種特征并非按比例繪制。事實上，為論述清晰起見，可任意增大或減小各種特征的尺寸。

圖1A是說明根據本發明一些示例性實施例的研磨輪的示意性仰視圖。

圖1B是說明根據本發明一些示例性實施例的研磨輪的一部分的示意性三維圖。

圖1C是說明根據本發明一些示例性實施例的研磨輪的一部分的示意性剖視圖。

圖1D是說明根據本發明一些示例性實施例的研磨輪的研磨齒的一部分的示意性放大剖視圖。

圖2是示出在根據本發明一些示例性實施例的半導體封裝的制造工藝中，待研磨的晶片之上的研磨輪的相對研磨軌跡的示意性俯視圖。

圖3A至圖3H是在根據本發明一些示例性實施例的半導體封裝的制造工藝中的各階段的示意性剖視圖。

圖4A至圖4B是根據本發明一些示例性實施例的研磨輪的研磨齒的大孔隙研磨材料的局部微觀圖。

圖5A至圖5B是研磨輪的研磨齒的對比研磨材料的局部微觀圖。

符號的說明

30：半導體封裝

100：研磨輪

102：環形金屬基底

102a：環形金屬基底的底表面

103：外緣部分

104：內緣部分

105：孔

110：研磨齒

110a：研磨齒的下表面/接觸表面

302：載體

304：緩沖層

310：芯片

310a：有源表面

312：接墊

314：金屬柱

316：介電材料

320：層間穿孔

320a：層間穿孔的頂表面

350：模制化合物

350a：模制化合物的頂表面

360：重布線層