[發(fā)明專利]陣列基板、顯示面板及顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710723467.2
• 申請日: 2017-08-22
• 公開（公告）號: CN107422514B
• 公開（公告）日: 2020-06-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 朱在穩(wěn);袁永;盧峰;姚綺君;紀(jì)啟泰
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢天馬微電子有限公司
• 主分類號: G02F1/1333
• 分類號: G02F1/1333;G09G3/36;G06F3/041
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

襯底基板，所述襯底基板包括顯示區(qū)和圍繞所述顯示區(qū)的非顯示區(qū)，所述襯底基板還包括與所述襯底基板平行的第一方向和第二方向，所述第一方向和與所述第二方向交叉；

所述襯底基板的所述非顯示區(qū)內(nèi)設(shè)置有至少一個壓力傳感器；所述壓力傳感器包括第一電阻、第二電阻、第三電阻以及第四電阻，所述第一電阻、所述第二電阻、所述第三電阻和所述第四電阻構(gòu)成惠斯通電橋結(jié)構(gòu)；

所述襯底基板的所述非顯示區(qū)還包括沿所述第二方向依次排列的多個移位寄存器，所述移位寄存器在所述第一方向的長度大于在所述第二方向的長度，所述第一電阻、所述第二電阻、所述第三電阻和所述第四電阻分別位于下述位置中至少一處：所述移位寄存器內(nèi)部、相鄰兩個所述移位寄存器之間、所述移位寄存器靠近所述顯示區(qū)的一側(cè)以及所述移位寄存器背離所述顯示區(qū)的一側(cè)；

其中，在同一個所述移位寄存器內(nèi)部最多設(shè)置所述第一電阻、所述第二電阻、所述第三電阻和所述第四電阻中的兩個電阻；

在相鄰兩個所述移位寄存器之間最多設(shè)置所述第一電阻、所述第二電阻、所述第三電阻和所述第四電阻中的一個電阻；

當(dāng)所述第一電阻、所述第二電阻、所述第三電阻和所述第四電阻中至少兩個電阻位于所述移位寄存器靠近所述顯示區(qū)的一側(cè)和/或位于所述移位寄存器背離所述顯示區(qū)的一側(cè)時，所述至少兩個電阻在所述第二方向上依次設(shè)置；

位于相鄰兩個所述移位寄存器之間的電阻沿所述第一方向的延伸長度大于在所述第二方向的延伸長度，位于所述移位寄存器靠近所述顯示區(qū)的一側(cè)的電阻及位于所述移位寄存器背離所述顯示區(qū)的一側(cè)的電阻在所述第二方向的延伸長度大于在所述第一方向的延伸長度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述壓力傳感器還包括第一電源信號輸入端、第二電源信號輸入端、第一感應(yīng)信號測量端和第二感應(yīng)信號測量端；

所述第一電阻的第一端以及所述第四電阻的第一端與第一電源信號輸入端電連接，所述第一電阻的第二端以及所述第二電阻的第一端與第一感應(yīng)信號測量端電連接，所述第四電阻的第二端以及所述第三電阻的第一端與第二感應(yīng)信號測量端電連接，所述第二電阻的第二端以及所述第三電阻的第二端與第二電源信號輸入端電連接；

所述第一電源信號輸入端和所述第二電源信號輸入端用于向所述壓力傳感器輸入偏置電壓信號；所述第一感應(yīng)信號測量端和所述第二感應(yīng)信號測量端用于從所述壓力傳感器輸出壓感檢測信號。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一方向和所述第二方向垂直。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電阻、所述第二電阻、所述第三電阻和所述第四電阻的材料為非晶硅材料或多晶硅材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，

所述第一電阻、所述第二電阻、所述第三電阻和所述第四電阻均為P型電阻或N型電阻；

所述第一電阻和所述第三電阻在所述第一方向的延伸長度大于在所述第二方向的延伸長度，所述第二電阻和所述第四電阻在所述第二方向的延伸長度大于在所述第一方向的延伸長度。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述襯底基板的所述非顯示區(qū)的一側(cè)設(shè)置有M個移位寄存器,所述M個移位寄存器包括第N級移位寄存器、第N+1級移位寄存器以及第N+2級移位寄存器；

所述第一電阻位于所述第N級移位寄存器和第N+1級移位寄存器之間，所述第三電阻位于所述第N+1級移位寄存器和第N+2級移位寄存器之間；

所述第二電阻位于所述第N級移位寄存器與所述顯示區(qū)之間，所述第四電阻位于所述第N+1級移位寄存器與所述顯示區(qū)之間；或者，所述第二電阻位于所述第N+1級移位寄存器與所述顯示區(qū)之間，所述第四電阻位于所述第N+2級移位寄存器與所述顯示區(qū)之間；其中，M為大于或等于3的正整數(shù)，N為大于或等于1，且小于或等于M-2的正整數(shù)。