[發明專利]半導體裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 201710722945.8
• 申請日: 2017-08-22
• 公開（公告）號: CN107799611A
• 公開（公告）日: 2018-03-13
• 發明（設計）人: 長谷川一也;岡徹;田中成明
• 申請（專利權）人: 豐田合成株式會社
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 舒艷君,李洋

1.一種半導體裝置，是具備形成于半導體層的多個半導體單元的半導體裝置，上述半導體裝置的特征在于

上述半導體單元具備：

臺面部，是在上述半導體層向上方突出的部分，上述臺面部具備上表面和側面；

肖特基電極，在上述臺面部的上述上表面與上述半導體層進行肖特基接觸；

絕緣膜，連續地形成在上述臺面部的上述側面、在上述臺面部的上述上表面上比上述肖特基電極的一部分接近上述上表面的一端的上述肖特基電極的另一部分及上述半導體層的上述臺面部以外的表面上；以及

布線電極，形成在上述肖特基電極和上述絕緣膜上，

上述臺面部的上述側面與上述半導體層的上述表面所成的角為85度以上90度以下，

上述布線電極的一部分位于形成于相鄰的上述臺面部的相對的上述側面的上述絕緣膜之間。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

上述臺面部的寬度為2.0μm以上15.0μm以下。

3.根據權利要求1或者2所述的半導體裝置，其特征在于，

上述相鄰的臺面部之間的距離為1.0μm以上且為上述臺面部的寬度以下。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

上述臺面部的高度為0.1μm以上5.0μm以下。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

上述肖特基電極構成為，在上述臺面部的上述上表面上述肖特基電極的一端與上述臺面部的上述上表面的一端的距離為2.0μm以下。

6.根據權利要求1～5中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

上述絕緣膜的厚度為50nm以上且小于上述相鄰的臺面部之間的距離的1/2。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

在各上述半導體單元中，上述絕緣膜和上述布線電極配置于上述肖特基電極的上述一部分的兩側。

8.根據權利要求1～6中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

在各上述半導體單元中，上述絕緣膜和上述布線電極配置于包圍上述肖特基電極的上述一部分的位置。

9.一種半導體裝置的制造方法，是制造具備形成于半導體層的多個半導體單元的半導體裝置的方法，其特征在于，具備：

(a)在上述半導體層形成分別在上述半導體層向上方突出并具備上表面和側面的多個臺面部；

(b)針對上述多個臺面部的每一個使用光刻形成在上述臺面部的上述上表面與上述半導體層進行肖特基接觸的肖特基電極；

(c)針對上述多個臺面部的每一個形成絕緣膜，上述絕緣膜連續地形成在上述臺面部的上述側面、在上述臺面部的上述上表面上比上述肖特基電極的一部分接近上述上表面的一端的上述肖特基電極的另一部分及上述半導體層的上述臺面部以外的表面上；以及

(d)針對上述多個臺面部形成布線電極，上述布線電極形成在上述肖特基電極和上述絕緣膜上，

上述臺面部的形成包括形成上述半導體層的上述表面與上述臺面部的上述側面所成的角為85度以上90度以下的上述臺面部的處理，

上述絕緣膜的形成包括將形成于相鄰的上述臺面部的相對的上述側面的上述絕緣膜形成為在上述半導體層的上述表面上相互連接的處理，

上述布線電極的形成包括在形成于上述相對的上述側面的上述絕緣膜之間配置上述布線電極的一部分的處理。