[發明專利]非易失性存儲器裝置以及數據操作方法

有效

• 申請號: 201710722567.3
• 申請日: 2017-08-22
• 公開（公告）號: CN107767911B
• 公開（公告）日: 2023-05-23
• 發明（設計）人: 南尚完;邊大錫;尹治元
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C16/08
• 分類號: G11C16/08
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 姜長星;胡江海

1.一種非易失性存儲器裝置，包括：

至少包括第一存儲器塊的至少一個存儲器塊，第一存儲器塊包含以與基底垂直堆疊的行和列布置的多個單元串，其中，單元串包括連接到串選擇線的串選擇晶體管、連接到地選擇線的地選擇晶體管、連接到字線的多個非易失性存儲器單元、連接到第一虛擬字線的第一虛擬存儲器單元和連接到第二虛擬字線的第二虛擬存儲器單元；

行解碼器電路，被配置為：在數據讀取操作期間，將電壓波形施加到串選擇線、地選擇線、字線以及第一虛擬字線和第二虛擬字線，包括：

將串線選擇電壓施加到針對選擇的單元串的選擇的串選擇線，以導通選擇的單元串的串選擇晶體管；

將地線選擇電壓施加到針對選擇的單元串的選擇的地選擇線，以導通選擇的單元串的地選擇晶體管；

將讀取通過電壓施加到未選擇的非易失性存儲器單元的未選擇的字線，以導通選擇的單元串的未選擇的非易失性存儲器單元；

將讀取選擇電壓施加到選擇的非易失性存儲器單元的選擇的字線，以從選擇的非易失性存儲器單元讀取數據；

將串選擇線預脈沖施加到未選擇的單元串的串選擇線，然后施加未選擇的串選擇線電壓，以截止未選擇的單元串的串選擇晶體管；

將地選擇線預脈沖施加到未選擇的單元串的地選擇線，然后施加未選擇的地選擇線電壓，以截止未選擇的單元串的地選擇晶體管；

將第一虛擬字線預脈沖施加到第一虛擬字線使得第一虛擬存儲器單元導通然后截止，并隨后將第一虛擬字線電壓施加到第一虛擬字線，以再次導通第一虛擬存儲器單元；

將第二虛擬字線預脈沖施加到第二虛擬字線使得第二虛擬存儲器單元導通然后截止，并隨后將第二虛擬字線電壓施加到第二虛擬字線，以再次導通第二虛擬存儲器單元。

2.根據權利要求1所述的非易失性存儲器裝置，其中，施加第一虛擬字線預脈沖和第二虛擬字線預脈沖，使得第一虛擬存儲器單元和第二虛擬存儲器單元在彼此大致相同的時間截止。

3.根據權利要求2所述的非易失性存儲器裝置，其中，在串選擇線預脈沖的結束和地選擇線預脈沖的結束之前，施加第一虛擬字線預脈沖和第二虛擬字線預脈沖。

4.根據權利要求1所述的非易失性存儲器裝置，其中，第一虛擬存儲器單元被布置為與地選擇晶體管相鄰，第二虛擬存儲器單元被布置為與串選擇晶體管相鄰。

5.根據權利要求4所述的非易失性存儲器裝置，還包括：

電壓生成器；

第一虛擬字線通過晶體管，連接在電壓生成器與第一虛擬字線之間，以響應于施加到第一虛擬字線通過晶體管的控制端的第一虛擬字線通過晶體管控制脈沖而將第一虛擬字線預脈沖施加到第一虛擬字線；

第二虛擬字線通過晶體管，連接在電壓生成器與第二虛擬字線之間，以響應于施加到第二虛擬字線通過晶體管的控制端的第二虛擬字線通過晶體管控制脈沖而將第二虛擬字線預脈沖施加到第二虛擬字線，

其中，第二虛擬字線通過晶體管控制脈沖的持續時間小于第一虛擬字線通過晶體管控制脈沖的持續時間。

6.根據權利要求5所述的非易失性存儲器裝置，其中，第二虛擬字線通過晶體管控制脈沖在第一虛擬字線通過晶體管控制脈沖結束的時間之前結束，其中，第二虛擬字線預脈沖的恢復時間大于第一虛擬字線預脈沖的恢復時間。

7.根據權利要求6所述的非易失性存儲器裝置，其中，第一虛擬字線通過晶體管控制脈沖和第二虛擬字線通過晶體管控制脈沖在彼此大致相同的時間開始。

8.根據權利要求6所述的非易失性存儲器裝置，其中，第二虛擬字線預脈沖的恢復時間隨著溫度的升高而減少。

9.根據權利要求6所述的非易失性存儲器裝置，其中，第二虛擬字線預脈沖的幅度隨著溫度的升高而減小。

10.根據權利要求6所述的非易失性存儲器裝置，其中，第二虛擬字線預脈沖的恢復時間隨著讀取通過電壓的增加而增加。