[發明專利]一種圖像傳感器感光結構及其制作方法在審
| 申請號: | 201710722434.6 | 申請日: | 2017-08-22 |
| 公開(公告)號: | CN107452762A | 公開(公告)日: | 2017-12-08 |
| 發明(設計)人: | 白麗莎;張悅強;葉紅波;王勇 | 申請(專利權)人: | 上海集成電路研發中心有限公司;成都微光集電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙)31275 | 代理人: | 吳世華,陳慧弘 |
| 地址: | 201210 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 圖像傳感器 感光 結構 及其 制作方法 | ||
1.一種圖像傳感器感光結構,其特征在于,包括鍍膜單元、微型透鏡以及感光元件,所述感光元件位于所述微型透鏡的正下方,用于接收透過微型透鏡的入射光,所述微型透鏡的上方覆蓋鍍膜單元,所述鍍膜單元包括至少一種鍍膜層;其中,入射光依次經過鍍膜單元和微型透鏡進入所述感光元件中。
2.根據權利要求1所述的一種圖像傳感器感光結構,其特征在于,還包括彩色濾光片,所述彩色濾光片位于微型透鏡和感光元件之間。
3.根據權利要求1所述的一種圖像傳感器感光結構,其特征在于,所述鍍膜單元為波長截止鍍膜單元或增透鍍膜單元。
4.根據權利要求3所述的一種圖像傳感器感光結構,其特征在于,所述波長截止鍍膜單元為紅外截止鍍膜單元或紫外截止鍍膜單元或可見光波長截止鍍膜單元。
5.根據權利要求4所述的一種圖像傳感器感光結構,其特征在于,所述紅外截止鍍膜單元由高折射率鍍膜層和低折射率鍍膜層交替堆疊而成。
6.根據權利要求5所述的一種圖像傳感器感光結構,其特征在于,所述高折射率鍍膜層的材料選自二氧化鈦、五氧化三鈦、二氧化鋯、五氧化二鉭、五氧化二鈮或H4混合物中的一種或幾種。
7.根據權利要求5所述的一種圖像傳感器感光結構,其特征在于,所述低折射率鍍膜層的材料選自二氧化硅或二氟化鎂中的一種或兩種。
8.一種制作權利要求1所述的圖像傳感器感光結構的方法,其特征在于,包括以下步驟:
S01:制作位于感光元件上方的透鏡基片;
S02:在上述透鏡基片上沉積介質層,通過圖形化和熱熔得到位于透鏡基片上的微型透鏡;
S03:在上述微型透鏡上沉積鍍膜單元。
9.根據權利要求8所述一種圖像傳感器感光結構的制作方法,其特征在于,步驟S02中介質層為樹脂材料層,得到位于透鏡基片上的微型透鏡的方法具體為:
S0201:在透鏡基片上旋涂樹脂材料層,
S0202:在樹脂材料層上濺射金屬層;
S0203:在上述金屬層上旋涂光刻膠;
S0204:曝光顯影之后得到預設的圖形;
S0205:腐蝕裸露出來的金屬層,并刻蝕掉光刻膠和裸露出來的樹脂材料層;
S0206:腐蝕剩余的金屬層,并熱熔樹脂材料層,得到微型透鏡。
10.一種由權利要求1所述的感光結構組成的圖像傳感器的感光系統,其特征在于,包括鍍膜單元、微型透鏡陣列以及感光元件陣列,所述微型透鏡陣列由微型透鏡排列組成,所述感光元件陣列由感光元件排列組成,并且感光元件與微型透鏡一一對應,所述微型透鏡陣列的上方覆蓋鍍膜單元,所述鍍膜單元包括至少一種鍍膜層;其中,入射光依次經過鍍膜單元、微型透鏡陣列進入所述感光元件陣列中,每個微型透鏡及其對應的感光元件生成一個像素。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





