[發明專利]雙角度類梯形截面形狀的鰭型場效應晶體管及其評價方法

有效

• 申請號: 201710719951.8
• 申請日: 2017-08-21
• 公開（公告）號: CN107481937B
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發明（設計）人: 黃啟俊;杜寰;高潮
• 申請（專利權）人: 揚州江新電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/10;H01L29/78
• 代理公司: 南京蘇科專利代理有限責任公司 32102
• 代理人: 陳棟智

1.一種鰭型場效應晶體管的評價方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)設計雙角度類梯形截面形狀的鰭型場效應晶體管，包括半導體鰭，所述半導體鰭包括頂面、底面以及兩對稱設置的側面，側面包括第一側面和第二側面，第一側面的頂部連頂面，第一側面的底部連第二側面的頂部，第二側面的底部連底面，其中，所述第一側面與底面之間的夾角為α，所述第二側面與底面的夾角為β；

2)設定形狀因子γ_Fin，

γ_Fin＝W_channel/S_channel＝(W_top+W_sidewalls)/S_channel

其中，W_channel為半導體鰭截面形狀中溝道的有效寬度，W_top為溝道頂的寬度，W_sidewalls為溝道兩側的寬度，有效寬度W_channel＝W_top+W_sidewalls，S_channel為截面溝道的面積，S_channel可根據W_top、W_sidewalls、α、β計算獲得；

3)通過形狀因子γ_Fin配合半導體物理領域的連續性方程以及邊界條件計算出形狀因子γFin與器件性能的關系圖；

4)根據所述關系圖評價具有雙角度類梯形截面形狀的鰭型場效應晶體管的性能。

2.根據權利要求1所述的鰭型場效應晶體管的評價方法，其特征在于，其中，70°≤α＜90°，70°＜β≤90°。

3.根據權利要求1所述的鰭型場效應晶體管的評價方法，其特征在于，所述α＝70°，β＝90°。