[發明專利]一種S波段寬邊耦合帶狀線3dB定向耦合器

在審

• 申請號: 201710718767.1
• 申請日: 2017-08-21
• 公開（公告）號: CN107516756A
• 公開（公告）日: 2017-12-26
• 發明（設計）人: 嚴浩嘉;薛景;戴永勝
• 申請（專利權）人: 南京理工大學
• 主分類號: H01P5/18
• 分類號: H01P5/18
• 代理公司: 南京理工大學專利中心32203
• 代理人: 王瑋

1.一種S波段寬邊耦合帶狀線3dB定向耦合器，其特征在于：包括特征阻抗50歐姆的輸入端口（P1）、特征阻抗50歐姆的直通端口（P2）、特征阻抗50歐姆的隔離端口（P3）、特征阻抗50歐姆的耦合端口（P4）、第一連接線（Lin1）、第二連接線（Lin2）、第三連接線（Lin3）、第四連接線（Lin4）、第一寬邊耦合線（L1）、第二寬邊耦合線（L2）、第三寬邊耦合線（L3）、第四寬邊耦合線（L4）、第一連接柱（H1）、第二連接柱（H2）、第三連接柱（H3）、第四連接柱（H4）、第五連接柱（H5）、第六連接柱（H6）、第一屏蔽層（G1）、第二屏蔽層（G2）、第三屏蔽層（G3）、第一通孔（K1）、第二通孔（K2）、第一側印地（GND1）、第二側印地（GND2）；

特征阻抗50歐姆的輸入端口（P1）與第一連接線（Lin1）連接，特征阻抗50歐姆的直通端口（P2）與第二連接線（Lin2）連接，特征阻抗50歐姆的隔離端口（P3）與第四連接線（Lin4）連接，特征阻抗50歐姆的耦合端口（P4）與第三連接線（Lin3）連接，第一寬邊耦合線（L1）、第二寬邊耦合線（L2）、第三寬邊耦合線（L3）、第四寬邊耦合線（L4）均有二層折疊線，上下兩層對稱分布，第一寬邊耦合線（L1）的下層耦合線（L12）一端與第一連接線（Lin1）相接，另一端通過第二連接柱（H2）與第二寬邊耦合線（L2）的下層耦合線（L22）一端相連，第二寬邊耦合線（L2）的下層耦合線（L22）的另一端通過第四連接柱（H4）與第三寬邊耦合線（L3）的下層耦合線（L32）一端相連，第三寬邊耦合線（L3）的下層耦合線（L32）的另一端通過第六連接柱（H6）與第四寬邊耦合線（L4）的下層耦合線（L42）一端相連，其中第六連接柱（H6）穿過位于第二屏蔽層（G2）上的第二通孔（K2），第四寬邊耦合線（L4）的下層耦合線（L42）的另一端與第二連接線（Lin2）相連；第一寬邊耦合線（L1）的上層耦合線（L11）一端通過第五連接柱（H5）與第四寬邊耦合線（L4）的上層耦合線（L41）一端相連，其中第五連接柱（H5）穿過位于第二屏蔽層（G2）上的第一通孔（K1），第四寬邊耦合線（L4）的上層耦合線（L41）的另一端與第四連接線（Lin4）相連，第一寬邊耦合線（L1）的上層耦合線（L11）的另一端通過第一連接柱（H1）與第二寬邊耦合線（L2）的上層耦合線（L21）一端相連，第二寬邊耦合線（L2）的上層耦合線（L21）的另一端通過第三連接柱（H3）與第三寬邊耦合線（L3）的上層耦合線（L31）一端相連，第三寬邊耦合線（L3）的上層耦合線（L31）的另一端與第三連接線（Lin3）相連；第一屏蔽層（G1）、第三屏蔽層（G3）分別位于結構最上面與最下面一層，第二屏蔽層（G2）將第一寬邊耦合線（L1）、第二寬邊耦合線（L2）、第三寬邊耦合線（L3）與第四寬邊耦合線（L4）上下分隔開，第一屏蔽層（G1）、第二屏蔽層（G2）、第三屏蔽層（G3）均與第一側印地（GND1）、第二側印地（GND2）相接。

2.根據權利要求1所述的S波段寬邊耦合帶狀線3dB定向耦合器，其特征在于：所述特征阻抗50歐姆的輸入端口（P1）、特征阻抗50歐姆的直通端口（P2）、特征阻抗50歐姆的隔離端口（P3）、特征阻抗50歐姆的耦合端口（P4）、第一連接線（Lin1）、第二連接線（Lin2）、第三連接線（Lin3）、第四連接線（Lin4）、第一寬邊耦合線（L1）、第二寬邊耦合線（L2）、第三寬邊耦合線（L3）、第四寬邊耦合線（L4）、第一連接柱（H1）、第二連接柱（H2）、第三連接柱（H3）、第四連接柱（H4）、第五連接柱（H5）、第六連接柱（H6）、第一屏蔽層（G1）、第二屏蔽層（G2）、第三屏蔽層（G3）、第一通孔（K1）、第二通孔（K2）、第一側印地（GND1）、第二側印地（GND2）均采用多層低溫共燒陶瓷工藝實現。