[發明專利]一種陣列基板及顯示裝置有效
| 申請號: | 201710718453.1 | 申請日: | 2017-08-21 |
| 公開(公告)號: | CN107579098B | 公開(公告)日: | 2020-05-12 |
| 發明(設計)人: | 冷傳利 | 申請(專利權)人: | 上海天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 201201 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 顯示裝置 | ||
本發明公開了一種陣列基板及顯示裝置,包括:襯底基板、像素限定結構和電極層;像素限定結構具有多個互相連接的堤部;電極層包括第一電極和設置于第一電極背離襯底基板一側的第二電極;第一電極在襯底基板上的正投影與第二電極在襯底基板上的正投影具有重疊區域;通過重疊區域外輪廓的任意側邊與對應堤部在襯底基板上的正投影外輪廓中靠近重疊區域的側邊之間具有第一設定距離,即在靠近堤部的區域,僅設置第一電極或第二電極中的其中一個,或均不設置第一電極和第二電極,使得在靠近堤部的區域電極層不能有效發揮作用,以有效避免在噴墨打印制作發光層時由于邊緣位置厚度大于中間位置厚度而導致的色度偏移,提高顯示畫面的質量。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤指一種陣列基板及顯示裝置。
背景技術
在現有的平板顯示器中,有機電致發光顯示器(Organic ElectroluminesecentDisplay,OLED)作為一種主動發光的顯示器,憑借其低功耗、高色飽和度、廣視角等特點,已經逐漸成為顯示領域的主流。
在現有的OLED顯示器的結構中,用于發光的發光單元一般包括陽極層、發光層和陰極層;并且,為了簡化制作工藝,便于量產,現引入了一種新技術來制作發光層,即噴墨打印技術,通過噴墨打印裝置將噴墨液滴滴入像素區域內,然后進行烘干處理,使噴墨液滴發生固化從而形成發光層;然而,該種方式雖然制作簡便,但在噴墨液滴的烘干過程中,由于邊緣位置的蒸發速率大于中間位置的蒸發速率,致使噴墨液滴內部產生一個外向的毛細流動,將懸浮的粒子攜帶至邊緣位置,在邊緣位置沉積成環,導致邊緣位置的厚度d1大于中間位置的厚度d2,出現咖啡環效應,結果如圖1所示的虛線框,從而干擾微腔效應,使色度發生偏移,影響OLED顯示器顯示畫面的質量。
基于此,如何有效避免因咖啡環效應導致的色度偏移,影響顯示畫面的顯示質量,是本領域技術人員亟待解決的技術問題。
發明內容
本發明實施例提供了一種陣列基板及顯示裝置,用以解決現有技術中存在的如何有效避免因咖啡環效應導致的色度偏移,影響顯示畫面的顯示質量的問題。
本發明實施例提供了一種陣列基板,包括:襯底基板、位于所述襯底基板上且用于限定出呈陣列排布的多個像素區域的像素限定結構、以及位于各所述像素區域的電極層;所述像素限定結構具有多個互相連接的堤部;其中,
所述電極層,包括:第一電極,以及設置于所述第一電極背離所述襯底基板一側的第二電極;所述第一電極在所述襯底基板上的正投影與所述第二電極在所述襯底基板上的正投影具有重疊區域;
所述重疊區域外輪廓的任意側邊與對應所述堤部在所述襯底基板上的正投影外輪廓中靠近所述重疊區域的側邊之間具有第一設定距離。
另一方面,本發明實施例還提供了一種顯示裝置,包括:電致發光顯示面板;
所述電致發光顯示面板,包括:如本發明實施例提供的上述陣列基板。
本發明有益效果如下:
本發明實施例提供的一種陣列基板及顯示裝置,該陣列基板包括:襯底基板、位于襯底基板上且用于限定出呈陣列排布的多個像素區域的像素限定結構、以及位于各像素區域的電極層;像素限定結構具有多個互相連接的堤部;其中,電極層包括:第一電極,以及設置于第一電極背離襯底基板一側的第二電極;第一電極在襯底基板上的正投影與第二電極在襯底基板上的正投影具有重疊區域;并且,通過重疊區域外輪廓的任意側邊與對應堤部在襯底基板上的正投影外輪廓中靠近重疊區域的側邊之間具有第一設定距離,即在靠近堤部的區域,僅設置第一電極或第二電極中的其中一個,或均不設置第一電極和第二電極,使得在靠近堤部的區域內,電極層不能有效發揮作用,以有效避免在之后采用噴墨打印的方式制作發光層時由于邊緣位置的厚度大于中間位置的厚度而導致的色度偏移,提高顯示畫面的顯示質量。
附圖說明
圖1為現有技術中陣列基板的剖視圖;
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





