[發明專利]OLED顯示基板及其制作方法、OLED顯示裝置有效
| 申請號: | 201710713140.7 | 申請日: | 2017-08-18 |
| 公開(公告)號: | CN107482042B | 公開(公告)日: | 2020-04-03 |
| 發明(設計)人: | 孫韜;張嵩;王有為;王濤 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭潤湘 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 顯示 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種OLED顯示基板,包括顯示區域和圍繞所述顯示區域的非顯示區域,所述OLED顯示基板包括設置于所述非顯示區域的擋墻,以及覆蓋所述顯示區域并延伸至覆蓋所述擋墻的封裝結構層,其特征在于:
所述OLED顯示基板還包括位于所述擋墻和所述封裝結構層之間且至少覆蓋所述擋墻的金屬鹵化物層,且所述金屬鹵化物層分別與所述擋墻和所述封裝結構層直接接觸。
2.如權利要求1所述的OLED顯示基板,其特征在于,所述金屬鹵化物層的材質包括MgF2、AlF3、NaF和LiF中的至少一種。
3.如權利要求1所述的OLED顯示基板,其特征在于,所述金屬鹵化物層遠離所述顯示區域的邊緣超出所述封裝結構層的邊緣。
4.如權利要求3所述的OLED顯示基板,其特征在于,所述金屬鹵化物層遠離所述顯示區域的邊緣超出所述封裝結構層邊緣10~50微米。
5.如權利要求1所述的OLED顯示基板,其特征在于,所述金屬鹵化物層包括覆蓋所述顯示區域的第一部分,以及位于所述非顯示區域的第二部分,所述第二部分環繞所述第一部分并與所述第一部分間隔設置。
6.如權利要求1所述的OLED顯示基板,其特征在于,所述OLED顯示基板在所述非顯示區域還包括依次設置的第一金屬走線層、絕緣層、第二金屬走線層和第三金屬走線層,其中:
所述絕緣層具有通向所述第一金屬走線層的第一過孔;
所述第二金屬走線層通過所述第一過孔與所述第一金屬走線層電連接;
所述擋墻設置于所述第二金屬走線層遠離所述絕緣層的一側;
所述第三金屬走線層位于所述擋墻靠近所述顯示區域一側,并與所述第二金屬走線層電連接;
所述金屬鹵化物層還覆蓋所述第三金屬走線層,以及所述第二金屬走線層被所述第三金屬走線層和所述擋墻暴露出的部分。
7.如權利要求6所述的OLED顯示基板,其特征在于,所述OLED顯示基板包括設置于所述顯示區域的多個OLED器件,以及每個所述OLED器件所對應電連接的薄膜晶體管;
所述第一金屬走線層與所述薄膜晶體管的源漏極同層制作;
所述第二金屬走線層與所述OLED器件的陽極同層制作;
所述第三金屬走線層與所述OLED器件的陰極同層制作。
8.如權利要求7所述的OLED顯示基板,其特征在于,所述絕緣層為有機絕緣層,所述第二金屬走線層具有通向所述有機絕緣層的至少一個第二過孔,所述顯示基板還包括與所述擋墻同層制作且填充所述至少一個第二過孔的填充結構。
9.如權利要求6所述的OLED顯示基板,其特征在于,所述OLED顯示基板在所述非顯示區域還包括依次設置的柔性襯底基板、緩沖層、柵絕緣層和層間絕緣層;
所述第一金屬走線層、所述絕緣層、所述第二金屬走線層、所述擋墻、所述第三金屬走線層、所述金屬鹵化物層和所述封裝結構層依次形成于所述層間絕緣層之上。
10.一種OLED顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求1~9任一項所述的OLED顯示基板。
11.一種OLED顯示基板的制作方法,其特征在于,包括:
形成位于非顯示區域的擋墻;
形成至少直接覆蓋在所述擋墻表面的金屬鹵化物層;
在所述金屬鹵化物層遠離所述擋墻的一側的表面形成覆蓋顯示區域并延伸至覆蓋所述擋墻的封裝結構層。
12.如權利要求11所述的方法,其特征在于,所述方法具體包括:
在基板上形成位于非顯示區域的第一金屬走線層;
在所述第一金屬走線層之上形成絕緣層,所述絕緣層具有通向所述第一金屬走線層的第一過孔;
在所述絕緣層之上形成位于非顯示區域的第二金屬走線層,所述第二金屬走線層通過所述第一過孔與所述第一金屬走線層電連接;
在所述第二金屬走線層之上形成位于非顯示區域的擋墻;
在所述擋墻的層結構之上形成位于非顯示區域的第三金屬走線層,所述第三金屬走線層位于所述擋墻靠近顯示區域的一側并與所述第二金屬走線層電連接;
在所述第三金屬層之上形金屬鹵化物層,所述金屬鹵化物層覆蓋所述擋墻、所述第三金屬走線層,以及所述第二金屬走線層被所述第三金屬走線層和所述擋墻暴露出的部分;
在所述金屬鹵化物層之上形成覆蓋顯示區域并延伸至覆蓋所述擋墻的封裝結構層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





