[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件的制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710713087.0 | 申請(qǐng)日： | 2017-08-18 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN109399555A | 公開（公告）日： | 2019-03-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 蘇佳樂(lè);張新偉;周國(guó)平;夏長(zhǎng)奉 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 無(wú)錫華潤(rùn)上華科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | B81C1/00 | 分類號(hào)： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務(wù)所 11336 | 代理人： | 汪洋;馮永貞 |
| 地址： | 214028 江蘇省無(wú)*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 頂層硅 空腔 制備 半導(dǎo)體器件 基底 體硅 蝕刻 退火 薄膜傳感器 工藝成本 氧化埋層 制造工藝 電極 對(duì)設(shè)備 圖案化 下電極 良率 兼容 遷移 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述方法包括：
提供SOI基底，所述SOI基底包括自下而上的體硅、氧化埋層和頂層硅；
圖案化所述頂層硅，以在所述頂層硅中形成若干相互間隔的孔；
執(zhí)行退火步驟，以使由所述孔相間隔的所述頂層硅遷移，進(jìn)而形成空腔；
蝕刻所述空腔外側(cè)的所述頂層硅，以形成上電極，同時(shí)露出部分所述體硅，以形成下電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，圖案化所述頂層硅的同時(shí)圖案化所述氧化埋層，以在所述頂層硅和所述氧化埋層中形成相互間隔的所述孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
在所述上電極上形成頂部焊盤；
在所述下電極上形成底部焊盤。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述孔的關(guān)鍵尺寸為0.5μm-1μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述孔的深度為1μm-20μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述孔的間隔為0.5μm-1μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述退火步驟在非氧氣氣氛下進(jìn)行。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述退火步驟的溫度為大于800℃。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述退火步驟中所述頂層硅遷移至所述孔的頂部，以形成種子層并形成密閉的所述空腔。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件包括電容式壓力傳感器。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于無(wú)錫華潤(rùn)上華科技有限公司，未經(jīng)無(wú)錫華潤(rùn)上華科技有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710713087.0/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
