[發明專利](001)取向CdS柔性可拉伸光敏薄膜材料及其制備方法有效
| 申請號： | 201710712152.8 | 申請日： | 2017-08-18 |
| 公開（公告）號： | CN109402579B | 公開（公告）日： | 2021-02-26 |
| 發明（設計）人： | 王充;于玫;楊燦燦;于喆 | 申請（專利權）人： | 中國科學院深圳先進技術研究院 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/02;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 鞏克棟 |
| 地址： | 518055 廣東省深圳*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 001 取向 cds 柔性 拉伸 光敏 薄膜 材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種柔性且具有拉伸性能的光敏材料，其特征在于，所述光敏材料包括柔性基底，位于柔性基底上的緩沖層，以及位于緩沖層上的(001)取向的CdS薄膜；所述緩沖層由貴金屬薄膜和熔點在200℃以下的低熔點金屬薄膜構成，且緩沖層的貴金屬薄膜一側與柔性基底接觸，緩沖層的低熔點金屬薄膜一側與CdS薄膜接觸。
2.根據權利要求1所述的光敏材料，其特征在于，所述貴金屬薄膜的厚度為2nm～30nm。
3.根據權利要求1所述的光敏材料，其特征在于，所述低熔點金屬薄膜的厚度為5nm～20nm。
4.根據權利要求1所述的光敏材料，其特征在于，所述CdS薄膜的厚度為20nm～1000nm。
5.根據權利要求1所述的光敏材料，其特征在于，所述緩沖層中的低熔點金屬薄膜為功函數與CdS薄膜匹配的金屬薄膜。
6.根據權利要求1所述的光敏材料，其特征在于，所述緩沖層中的低熔點金屬薄膜為銦薄膜。
7.根據權利要求1所述的光敏材料，其特征在于，所述柔性基底為高分子聚合物柔性基底。
8.根據權利要求1所述的光敏材料，其特征在于，所述柔性基底為硅橡膠材料。
9.根據權利要求1所述的光敏材料，其特征在于，所述柔性基底為拉伸率大于200％的硅橡膠材料。
10.根據權利要求1所述的光敏材料，其特征在于，所述柔性基底的厚度不超過0.5cm。
11.根據權利要求1所述的光敏材料，其特征在于，所述CdS薄膜的拉伸率大于10％。
12.如權利要求1所述的光敏材料的制備方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：
(1)在柔性基底上制備電阻率在5KΩ·m～5MΩ·m的緩沖層；
(2)采用磁控濺射的方法在緩沖層上制備(001)取向的CdS薄膜，且磁控濺射的工藝參數為：靶槍功率密度為5W/m2～10W/m2，真空背底氣壓小于9×10-4Pa，工作氣壓為0.5Pa～10Pa；
(3)退火，得到柔性且具有拉伸性能的光敏材料；
步驟(1)所述緩沖層由貴金屬薄膜和熔點在200℃以下的低熔點金屬薄膜構成，且緩沖層的貴金屬薄膜一側與柔性基底接觸，緩沖層的低熔點金屬薄膜一側與CdS接觸。
13.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，步驟(1)在柔性基底上制備緩沖層的過程為：
(A)在柔性基底上通過磁控濺射制備貴金屬薄膜；
(B)然后在貴金屬薄膜上制備熔點在200℃以下的低熔點金屬薄膜，從而在柔性基底上形成由貴金屬薄膜和低熔點金屬薄膜構成的緩沖層。
14.根據權利要求13所述的方法，其特征在于，步驟(A)所述磁控濺射為直流或射頻磁控濺射。
15.根據權利要求13所述的方法，其特征在于，步驟(A)所述磁控濺射的過程中，靶槍功率密度為1W/m2～10W/m2，工作氣壓為0.5Pa～10Pa。
16.根據權利要求13所述的方法，其特征在于，步驟(A)所述磁控濺射的過程中，真空背底氣壓小于9×10-3Pa。
17.根據權利要求13所述的方法，其特征在于，步驟(A)所述磁控濺射的過程中，樣品臺溫度為25℃～200℃，生長時間優選為1s～30s。
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