[發明專利]一種基于電化學自分離的大面積低損傷的石墨烯轉移方法在審
| 申請號： | 201710711851.0 | 申請日： | 2017-08-18 |
| 公開（公告）號： | CN107512714A | 公開（公告）日： | 2017-12-26 |
| 發明（設計）人： | 張安平;楊明超;陳家玉;趙炎;魏葳;張曉東 | 申請（專利權）人： | 西安交通大學 |
| 主分類號： | C01B32/194 | 分類號： | C01B32/194;C01B32/186 |
| 代理公司： | 西安智大知識產權代理事務所61215 | 代理人： | 段俊濤 |
| 地址： | 710049 陜*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 電化學 分離 大面積 損傷 石墨 轉移 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于電化學自分離的大面積低損傷的石墨烯轉移方法，其特征在于，通過噴涂一層聚合物，在金屬基底上生長的大面積石墨烯薄膜表面形成一層保護層，并將其置于電解液中與電源負極相連，采用石墨等導電電極置于電解液中并與電源正極相連，利用電解過程中金屬基底與石墨烯之間形成的微小氣泡實現石墨烯與金屬襯底的分離，并將分離后的石墨烯轉移到目標襯底上。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬基底是銅、鎳或者銅鎳合金，所述惰性電極是石墨或不銹鋼。
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