[發明專利]有機電致發光顯示基板及有機電致發光顯示裝置在審
| 申請號: | 201710710210.3 | 申請日: | 2017-08-18 |
| 公開(公告)號: | CN107331690A | 公開(公告)日: | 2017-11-07 |
| 發明(設計)人: | 史婷;林如梅 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙)44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 電致發光 顯示 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,具體涉及一種有機電致發光顯示基板及顯示裝置。
背景技術
有機電致發光二極管(Organi c Li ght-Emi t t i ng D i ode,OLED)因其高亮度、自發光、響應快以及低驅動電壓等優點,已成為顯示領域的新興技術;在大尺寸OLED屏幕方向,目前主流結構是底發光結構,陰極采用較厚的堿金屬,但是,隨著用戶對分辨率的要求越來越高,而底發光結構的OLED會受到開口率的限制,難以實現較高的分辨率;越來越多的廠家將盡力轉向頂發光OLED的開發,以期望實現更高的分辨率。
頂發光OLED結構采用透明導電氧化物或較薄的半透明金屬作為頂部陰極,較薄的半透明陰極通常電阻較高;當顯示尺寸較大時,在屏幕中心的發光點,由于離電極借口較遠,長距離的電流傳輸使其驅動電壓上升較大,便會造成屏幕內邊緣距離接口較近區域和屏幕中心區域發光點的驅動電壓差距過大,會產生壓降的問題;而依靠薄膜晶體管側的電路設計,難以有效的解決。
目前可以通過在透明陰極的像素單元空隙區域打印輔助電極,從而改善壓降的問題,但是輔助電極打印到像素間隔體時,若打印線寬較窄,輔助電極會發生斷續現象,無法有效解決壓降問題;若打印線寬較寬,會存在溢流到像素內的風險。
發明內容
本發明提供一種有機電致發光顯示基板及有機電致發光顯示裝置,能夠有效的避免輔助電極的溢流風險,同時易于獲得連續的銀線輔助電極,可改善壓降的問題。
本發明提供一種有機電致發光顯示基板,包括襯底、像素單元、設置在所述襯底上用于限定所述像素單元的像素間隔體以及輔助電極;
所述像素間隔體頂部設置有溝槽,用于容納所述輔助電極。
根據本發明一實施例,所述像素間隔體形狀為梯臺,所述梯臺形狀的像素間隔體的高度為0.2~5um,傾斜角為10°~80°之間。
根據本發明一實施例,所述溝槽位于像素間隔體的中間位置,所述溝槽的寬度比所述像素間隔體頂部寬度小2~10um。
根據本發明一實施例,所述溝槽的深度為0.1~2um。
根據本發明一實施例,所述像素單元包括有機電致發光功能器件和金屬陽極;
金屬陽極,陣列設置于所述襯底表面;
有機電致發光功能器件設置于所述金屬陽極表面。
根據本發明一實施例,所述溝槽設置在所述像素單元長軸方向空隙之間或設置在所述像素單元短軸方向空隙之間。
根據本發明一實施例,所述像素單元四周與所述像素間隔體邊側緊密貼合。
根據本發明一實施例,所述有機電致發光顯示基板還包括透明陰極,所述透明陰極覆蓋于所述像素間隔體和所述像素單元的表面,并與所述金屬陽極耦合。
根據本發明一實施例,所述輔助電極設置于所述透明陰極的表面。
一種頂發光有機電致發光顯示裝置,包括上述任一所述的有機電致發光顯示基板。
本發明提供一種有機電致發光顯示基板及有機電致發光顯示裝置,通過在像素間隔體的頂部設置溝槽同于定義輔助電極打印區域,能夠有效的避免輔助電極的溢流風險,同時易于獲得連續的銀線輔助電極,可改善壓降的問題。
附圖說明
為了更清楚地說明實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是發明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本發明實施例的有機電致發光顯示基板的結構示意圖;
圖2為本發明實施例的有機電致發光顯示基板的俯視結構示意圖。
圖3為本發明實施例的有機電致發光顯示基板的又一結構示意圖。
具體實施方式
以下各實施例的說明是參考附加的圖示,用以例示本發明可用以實施的特定實施例。本發明所提到的方向用語,例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[內]、[外]、[側面]等,僅是參考附加圖式的方向。因此,使用的方向用語是用以說明及理解本發明,而非用以限制本發明。在圖中,結構相似的單元是用以相同標號表示。
下面結合附圖和具體實施例對本發明做進一步的說明:
如圖1所示,一種有機電致發光顯示基板1,包括襯底101、像素單元102、設置在所述襯底101上用于限定像素單元102的像素間隔體103以及輔助電極105;
所述像素間隔體103頂部設置有溝槽104,用于容納所述輔助電極105。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





