[發明專利]發光元件

有效

• 申請號: 201710710105.X
• 申請日: 2013-08-02
• 公開（公告）號: CN107579161B
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發明（設計）人: 瀨尾哲史;瀨尾廣美;高橋辰義
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 李志強;楊思捷

1.一種發光元件，包括：

第一化合物和第二化合物，

其中，在所述第一化合物中，單重激發態和三重激發態的能級之間的差異為0.2 eV以下，

所述第二化合物包含熒光材料，

所述第一化合物是熱活化延遲熒光物質，

所述熱活化延遲熒光物質的發射光譜的峰值波長長于或等于所述熒光材料的吸收光譜中最低能量一側的吸收帶的峰值波長，

能量從所述第一化合物的所述單重激發態的能級轉移到所述熒光材料的單重激發態的能級，且

所述熒光材料發射熒光。

2.一種發光元件，包括：

第一化合物和第二化合物，

其中，在所述第一化合物中，單重激發態和三重激發態的能級之間的差異為0.2 eV以下，

所述第二化合物包含熒光材料，

所述第一化合物表現熱活化延遲熒光，

所述第一化合物的發射光譜與所述熒光材料的吸收光譜中最低能量一側的吸收帶重疊，

所述第一化合物的所述發射光譜的峰值波長長于或等于所述熒光材料的所述吸收光譜中所述最低能量一側的所述吸收帶的峰值波長，

能量從所述第一化合物的所述單重激發態的能級轉移到所述熒光材料的單重激發態的能級，且

所述熒光材料發射熒光。

3.根據權利要求1或2所述的發光元件，還包括：

一對電極；和

所述一對電極之間的EL層，

其中，所述EL層包括發光層，且

所述第一化合物和所述第二化合物包含在所述發光層中。

4.根據權利要求1或2所述的發光元件，其中，所述第一化合物配置為表現反系間竄躍。

5.根據權利要求1或2所述的發光元件，其中，所述第二化合物的所述最低能量一側的所述吸收帶的所述峰值波長和所述第一化合物的所述峰值波長之間的能量差異為0.2 eV以下。

6.一種發光元件，包括：

一對電極；和

所述一對電極之間的EL層，

其中，所述EL層包括發光層，

所述發光層包含第一化合物和第二化合物，

所述第一化合物表現熱活化延遲熒光，

所述第一化合物的發射光譜與所述第二化合物的最低能量一側的吸收帶重疊，

所述第二化合物包含熒光材料，

在所述第一化合物中，單重激發態和三重激發態的能級之間的差異為0.2 eV以下，

所述第一化合物配置為表現反系間竄躍，

所述第一化合物的發射光譜的峰值波長長于或等于所述熒光材料的吸收光譜中最低能量一側的吸收帶的峰值波長，

能量從所述第一化合物的所述單重激發態的能級轉移到所述熒光材料的單重激發態的能級，且

所述熒光材料發射熒光。

7.根據權利要求6所述的發光元件，其中，所述第二化合物的所述最低能量一側的所述吸收帶的所述峰值波長和所述第一化合物的所述峰值波長之間的能量差異為0.2 eV以下。

8.根據權利要求1、2和6中任一項所述的發光元件，其中，所述第一化合物的所述發射光譜的所述峰值波長和所述第二化合物的發射光譜的峰值波長之間的差異為30 nm以下。

9.根據權利要求1、2和6中任一項所述的發光元件，其中，所述第一化合物包含具有電子傳輸性的材料和具有空穴傳輸性的材料。