[發明專利]碳納米管傳感器的制作方法及其用途在審
| 申請號： | 201710709689.9 | 申請日： | 2017-08-18 |
| 公開（公告）號： | CN109406586A | 公開（公告）日： | 2019-03-01 |
| 發明（設計）人： | 饒橋兵;易新榮;解耘天 | 申請（專利權）人： | 藍思科技（長沙）有限公司 |
| 主分類號： | G01N27/22 | 分類號： | G01N27/22;B82Y30/00;B82Y15/00 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 齊海迪 |
| 地址： | 410100 湖南省長*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 碳納米管傳感器 生產效率 制作 等離子體刻蝕技術 碳納米管層 基材表面 技術效果 觸摸屏 刻蝕 制備 緩解 制造 | ||
1.一種碳納米管傳感器的制作方法，其特征在于，包括用等離子體刻蝕技術對設置于基材表面的碳納米管層進行刻蝕，之后得到碳納米管傳感器。
2.根據權利要求1所述的碳納米管傳感器的制作方法，其特征在于，先對基材進行老化處理，再進行等離子體刻蝕的過程。
3.根據權利要求2所述的碳納米管傳感器的制作方法，其特征在于，老化處理時的工藝條件為：溫度120-140℃，時間20-40min；優選為溫度122-138℃，時間22-38min；進一步優選為溫度125-135℃，時間25-35min。
4.根據權利要求1所述的碳納米管傳感器的制作方法，其特征在于，根據預設圖形對碳納米管層進行覆膜和顯影后再進行刻蝕，之后進行脫膜處理，得到碳納米管傳感器。
5.根據權利要求4所述的碳納米管傳感器的制作方法，其特征在于，覆膜時的溫度為：110-130℃，貼合速度2-3m/min；優選為112-128℃，貼合速度2.2-2.8m/min；進一步優選為115-125℃，貼合速度2.4-2.6m/min。
6.根據權利要求4所述的碳納米管傳感器的制作方法，其特征在于，所述顯影過程中采用的顯影劑為堿性藥液，顯影劑的pH值為8-12。
7.根據權利要求4所述的碳納米管傳感器的制作方法，其特征在于，所述刻蝕的工藝條件：等離子體的射頻為12-15MHz，射頻功率＞1kW，氣體流量0-200ml/min，刻蝕時間8-15min。
8.根據權利要求4所述的碳納米管傳感器的制作方法，其特征在于，所述脫膜過程中采用的脫膜劑為堿性藥液，脫模劑的pH值為10-13，脫膜時的溫度為45-70℃；
優選為：pH值為11-13，脫膜時的溫度為47-68℃；
進一步優選為：pH值為12-13，脫膜時的溫度為50-65℃。
9.根據權利要求1-8任一項所述的碳納米管傳感器的制作方法，其特征在于，所述基材包括PET基材或環烯烴聚合物薄膜基材。
10.一種權利要求1-9任一項所述的碳納米管傳感器的制作方法在制備雙面布線結構的碳納米管傳感器中的用途。
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