[發(fā)明專利]一種陣列基板及該陣列基板的制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710709567.X
• 申請日: 2017-08-17
• 公開（公告）號: CN107479280A
• 公開（公告）日: 2017-12-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙陽;陳劍鴻
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/84
• 代理公司: 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)44280
• 代理人: 鐘子敏

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

襯底基板；

設(shè)置在襯底基板上的薄膜晶體管、與所述薄膜晶體管的源極電連接的數(shù)據(jù)線、與所述薄膜晶體管的漏極電連接的像素電極；

其中，所述數(shù)據(jù)線與所述像素電極分別設(shè)置在不同層中，所述數(shù)據(jù)線與所述像素電極所在層之間進(jìn)一步設(shè)有導(dǎo)電透明層，所述數(shù)據(jù)線、所述導(dǎo)電透明層、所述像素電極層疊設(shè)置且相互之間絕緣。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述數(shù)據(jù)線與所述像素電極在同一平面的垂直投影有重疊。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述導(dǎo)電透明層上設(shè)有過孔，所述像素電極通過所述過孔與所述薄膜晶體管的漏極電連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述陣列基板進(jìn)一步還包括公共電極，所述導(dǎo)電透明層與所述公共電極電連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述導(dǎo)電透明層與所述像素電極所在層之間還包括彩色光阻層以及覆蓋所述光阻層的平坦保護(hù)層，

所述彩色光阻層位于所述導(dǎo)電透明層遠(yuǎn)離所述數(shù)據(jù)線的一側(cè)，所述平坦保護(hù)層位于所述彩色光阻層遠(yuǎn)離所述導(dǎo)電透明層的一側(cè)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述導(dǎo)電透明層的材料為銦錫氧化物。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，

所述平坦保護(hù)層的材料為可溶性聚四氟乙烯。

8.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一襯底基板；

在所述襯底基板上形成薄膜晶體管、與所述薄膜晶體管的源極電連接的數(shù)據(jù)線、導(dǎo)電透明層、與所述薄膜晶體管的漏極電連接的像素電極；

其中，所述數(shù)據(jù)線與所述像素電極分別設(shè)置在不同層中，所述導(dǎo)電透明層位于所述數(shù)據(jù)線與所述像素電極所在層之間，所述數(shù)據(jù)線、所述導(dǎo)電透明層、所述像素電極層疊設(shè)置且相互之間絕緣。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，在形成所述導(dǎo)電透明層之后，在形成所述像素電極之前還包括：

依次形成彩色光阻層以及覆蓋所述彩色光阻層的平坦保護(hù)層，

其中，所述彩色光阻層位于所述導(dǎo)電透明層遠(yuǎn)離所述數(shù)據(jù)線的一側(cè)，所述平坦保護(hù)層位于所述彩色光阻層遠(yuǎn)離所述導(dǎo)電透明層的一側(cè)。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，

所述導(dǎo)電透明層的材料為銦錫氧化物。